一种烧结Re-Fe-B永磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118507190A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410954632.5

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明提供一种烧结Re‑Fe‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明的烧结Re‑Fe‑B永磁体具有Ti系析出相,所述Ti系析出相包括Re‑Fe‑Ti‑B棒状物;所述Re‑Fe‑Ti‑B棒状物的长度为100‑300nm;所述Ti系析出相中,Re的原子百分含量是1~20at%,Fe的原子百分含量是1~30at%,Ti的原子百分含量是40~90at%,B的原子百分含量是10~20at%;Ti和B的原子百分含量之比为4:1~9:1。本发明烧结钕铁硼永磁体通过配方设计结合工艺优化,形成大尺寸Re‑Fe‑Ti‑B棒状物,阻止富硼相形成,并且Re‑Fe‑Ti‑B棒状物只聚集于晶界中,能够阻碍晶粒尺寸长大,抑制主相晶粒长大,减弱主相晶粒间的磁耦合相应,提高烧结Re‑Fe‑B永磁体性能。

    一种矫顽力一致性高的烧结钕铁硼磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN117410054A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311420617.4

    申请日:2023-10-30

    Abstract: 本发明公开了一种矫顽力一致性高的烧结钕铁硼磁体及其制备方法,本发明通过调控晶界扩散阶段的温度、湿度,以及扩散层的含水量,实现了重稀土扩散层与磁体基体表面更好的结合。同时,采用在真空扩散炉中设置金属板,利用金属板的高热传导系数与高导热性,使得扩散炉炉腔的温度变化速率更加均匀,且有效改善炉腔的中心位置的升温,缩短炉内顶点及体心物料温度达到扩散温度的时间△T,进而提高整炉产品、同一磁体的性能的一致性。

    R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118486518A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410947526.4

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B‑M系永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R‑T‑Cu‑Ga‑O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含铁(Fe)的过渡金属;B为硼。本发明所述R‑T‑B‑M系永磁材料的制备方法中,所述永磁材料经热处理后,可在晶界相中形成R‑T‑Cu‑Ga‑O相,该相沿晶界处均匀分布,可抑制晶粒的异常长大,降低R‑T‑B‑M系永磁材料对烧结处理温度的敏感性,防止永磁材料出现因晶粒异常长大而导致矫顽力Hcj性能下降的现象。

    一种R-T-B系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118197727A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202211600057.6

    申请日:2022-12-13

    Abstract: 本发明涉及R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。本发明通过M的化合物对R‑T‑B系合金粉末的附着或包覆,在钕铁硼粉末表面形成均匀的包裹层,能够实现R‑T‑B系合金粉末的圆化改造,从而在显著降低基材中重稀土金属用量的情况下,提高R‑T‑B系合金粉末的浸润性。并且,本发明所述R‑T‑B系永磁材料的晶界中存在M‑R和/或M‑T‑R的晶界相,能够显著改善晶界相的理化性质,有助于改善晶界相的分布并对晶界进行强化,可避免形成反核壳结构,更有利于重稀土元素的渗透,因此有助于改善R‑T‑B系永磁材料的Hcj。

    一种烧结Re-Fe-B永磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118507190B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410954632.5

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明提供一种烧结Re‑Fe‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明的烧结Re‑Fe‑B永磁体具有Ti系析出相,所述Ti系析出相包括Re‑Fe‑Ti‑B棒状物;所述Re‑Fe‑Ti‑B棒状物的长度为100‑300nm;所述Ti系析出相中,Re的原子百分含量是1~20at%,Fe的原子百分含量是1~30at%,Ti的原子百分含量是40~90at%,B的原子百分含量是10~20at%;Ti和B的原子百分含量之比为4:1~9:1。本发明烧结钕铁硼永磁体通过配方设计结合工艺优化,形成大尺寸Re‑Fe‑Ti‑B棒状物,阻止富硼相形成,并且Re‑Fe‑Ti‑B棒状物只聚集于晶界中,能够阻碍晶粒尺寸长大,抑制主相晶粒长大,减弱主相晶粒间的磁耦合相应,提高烧结Re‑Fe‑B永磁体性能。

    R-T-B-M系永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118486518B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202410947526.4

    申请日:2024-07-16

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B‑M系永磁材料及其制备方法和应用,所述永磁材料由主相和晶界相组成,其中晶界相至少包括R‑T‑Cu‑Ga‑O相;其中,M选自Cu、Ga、Al、Zr、Ti、Sn、Ta和Mn中的一种或多种;R选自稀土元素;T为至少包含铁(Fe)的过渡金属;B为硼。本发明所述R‑T‑B‑M系永磁材料的制备方法中,所述永磁材料经热处理后,可在晶界相中形成R‑T‑Cu‑Ga‑O相,该相沿晶界处均匀分布,可抑制晶粒的异常长大,降低R‑T‑B‑M系永磁材料对烧结处理温度的敏感性,防止永磁材料出现因晶粒异常长大而导致矫顽力Hcj性能下降的现象。

    具有多层结构的永磁材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118248424A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202211666794.6

    申请日:2022-12-23

    Abstract: 本发明涉及具有多层结构的永磁材料及其制备方法和应用。本发明具有多层结构的永磁材料能够在降低Nd含量的情况下得到高性能的永磁材料。本发明通过制粉混合压制烧结,有效避免了CeY进入主相晶粒造成磁体性能降低的性能缺陷,同时避免了晶界中CeFe2相的形成对磁体性能的影响,而且M的引入也避免了晶界中CeY富集对扩散效果的抑制,提供了重稀土由磁体表面向内部的扩散通道,优化扩散效果,显著提升扩散性能,降低磁体的制造成本,实现稀土资源的平衡、可持续利用。

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