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公开(公告)号：CN101295356A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810095941.2
申请日：2008-04-25
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明提供一种受到被检体的按压，可靠导通而开始传感动作的图像输入装置，该图像输入装置包括：基底；传感器主体，在所述基底上上下可动，且与所述基底连结；开关，设置于所述基底的上面侧和所述传感器主体的下面侧的一个；凸部，设置于所述基底的上面侧和所述传感器主体的下面侧的另一个的、与所述开关相对置的位置。
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公开(公告)号：CN1573854A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410063928.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G2310/027 , G09G2330/028
Abstract: 一种显示装置，具有向多个显示象素供给与数字信号相应的电流的电流生成供给电路，显示图像信息，该显示装置具有：显示面板；扫描驱动电路，依次向上述多条扫描线施加扫描信号；信号驱动电路，具有多个等级电流生成供给电路部和基准电压生成电路，多个等级电流生成供给电路部至少具有：信号保持电路，保持数字信号的各位；单位电流生成电路，根据规定的基准电压，生成与数字信号的各位相对应的多个单位电流；等级电流生成电路，按照所保持的上述数字信号的位值，选择性地合成上述单位电流，生成为等级电流，向上述多条信号线进行供给，所述基准电压生成电路，对上述多个等级电流生成供给电路部共同地施加上述基准电压。
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公开(公告)号：CN1300500A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800538.9
申请日：2000-03-28
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H04N3/15
CPC classification number: H04N5/353 , H01L27/1446 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H04N5/2351
Abstract: 通过允许各行处理周期彼此部分重叠可缩短一个屏幕的读处理时间,通过防止复位周期、预充电周期和读周期在时间上彼此重叠可以精确地执行读操作。上述的驱动控制法中,各行的电荷累积时间在各行同时或连续复位之后变化,并且读操作被执行。通过整个屏幕的读处理,可获得通过使用对应于行数而在数量上不同的电荷累积周期来读取图象,从而可根据如此获得的图象数据获取一个最佳检测灵敏度的值。
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公开(公告)号：CN100463021C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410063928.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: G09G3/3283 , G09G2310/027 , G09G2330/028
Abstract: 一种显示装置，具有向多个显示象素供给与数字信号相应的电流的电流生成供给电路，显示图像信息，该显示装置具有：显示面板；扫描驱动电路，依次向上述多条扫描线施加扫描信号；信号驱动电路，具有多个等级电流生成供给电路部和基准电压生成电路，多个等级电流生成供给电路部至少具有：信号保持电路，保持数字信号的各位；单位电流生成电路，根据规定的基准电压，生成与数字信号的各位相对应的多个单位电流；等级电流生成电路，按照所保持的上述数字信号的位值，选择性地合成上述单位电流，生成为等级电流，向上述多条信号线进行供给，所述基准电压生成电路，对上述多个等级电流生成供给电路部共同地施加上述基准电压。
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公开(公告)号：CN100375390C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410097093.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03F3/345
CPC classification number: H03K5/2472 , G09G5/006 , G09G2300/0439 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , H03K5/086 , H03K19/01714 , H03K19/018557
Abstract: 本发明的半导体电路中的电平位移电路具备：输入段的转换电路，其输入具有第一电压振幅的输入信号，且输出该输入信号的反转信号；输出段的转换电路，其至少输入所述输入段的转换电路的输出信号，且输出具有比第一电压振幅大的第二电压振幅的第二信号；和自举电路部，将所述输入信号和所述输出信号的电位差作为电压成分保持，将向所述输出段的转换电路输入的信号电压的电压值升压，所述电平位移电路的各个电路被构成为至少具有使用半导体层的薄膜晶体管作为开关元件，该半导体层由非晶体硅构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1224240C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN00800538.9
申请日：2000-03-28
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H04N3/15
CPC classification number: H04N5/353 , H01L27/1446 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H04N5/2351
Abstract: 通过允许各行处理周期彼此部分重叠可缩短一个屏幕的读处理时间，通过防止复位周期、预充电周期和读周期在时间上彼此重叠可以精确地执行读操作。上述的驱动控制法中，各行的电荷累积时间在各行同时或连续复位之后变化，并且读操作被执行。通过整个屏幕的读处理，可获得通过使用对应于行数而在数量上不同的电荷累积周期来读取图象，从而可根据如此获得的图象数据获取一个最佳检测灵敏度的值。
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公开(公告)号：CN1638281A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410097093.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H03K19/0185 , H03F3/345
CPC classification number: H03K5/2472 , G09G5/006 , G09G2300/0439 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , H03K5/086 , H03K19/01714 , H03K19/018557
Abstract: 本发明的半导体电路中的电平位移电路具备：输入段的转换电路，其输入具有第一电压振幅的输入信号，且输出该输入信号的反转信号；输出段的转换电路，其至少输入所述输入段的转换电路的输出信号，且输出具有比第一电压振幅大的第二电压振幅的第二信号；和自举电路部，将所述输入信号和所述输出信号的电位差作为电压成分保持，将向所述输出段的转换电路输入的信号电压的电压值升压，所述电平位移电路的各个电路被构成为至少具有使用半导体层的薄膜晶体管作为开关元件，该半导体层由非晶体硅构成。
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公开(公告)号：CN101295356B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810095941.2
申请日：2008-04-25
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: G06K9/00
Abstract: 本发明提供一种受到被检体的按压，可靠导通而开始传感动作的图像输入装置，该图像输入装置包括：基底；传感器主体，在所述基底上上下可动，且与所述基底连结；开关，设置于所述基底的上面侧和所述传感器主体的下面侧的一个；凸部，设置于所述基底的上面侧和所述传感器主体的下面侧的另一个的、与所述开关相对置的位置。
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公开(公告)号：CN100454538C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510005952.3
申请日：2005-01-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L21/8221 , H01L27/1251 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供一种晶体管阵列和利用它的图像处理器件，在单一的绝缘性衬底上设置了多个晶体管，具有：利用由多晶硅构成的第1半导体层形成的多个多晶硅薄膜晶体管，形成在上述衬底上；多个具有非晶硅薄膜晶体管结构的功能元件，利用由非晶硅构成的第2半导体层形成，上述第2半导体层形成在上述第1半导体层的上层侧。在此，上述多晶硅薄膜晶体管及上述功能元件分别具有由导电体层构成的多个电极层，例如，上述功能元件的至少任何一个上述电极层与上述多晶硅薄膜晶体管的任何一个上述电极层设置在同一层中。
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公开(公告)号：CN1649152A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510005952.3
申请日：2005-01-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L21/8221 , H01L27/1251 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供一种晶体管阵列和利用它的图像处理器件，在单一的绝缘性衬底上设置了多个晶体管，具有：利用由多晶硅构成的第1半导体层形成的多个多晶硅薄膜晶体管，形成在上述衬底上；多个具有非晶硅薄膜晶体管结构的功能元件，利用由非晶硅构成的第2半导体层形成，上述第2半导体层形成在上述第1半导体层的上层侧。在此，上述多晶硅薄膜晶体管及上述功能元件分别具有由导电体层构成的多个电极层，例如，上述功能元件的至少任何一个上述电极层与上述多晶硅薄膜晶体管的任何一个上述电极层设置在同一层中。
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