公开(公告)号：CN108923255A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810909141.3

申请日：2018-08-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  任伯聪 ,  陈衍晖 ,  应磊莹 ,  郑志威

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  C23C16/40 ,  C23C14/08

CPC classification number: H01S5/18308 ,  C23C14/081 ,  C23C16/403 ,  H01S5/187

Abstract: 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜；所述电流限制层使用氧化铝材料，氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单，改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果，降低了热效应对激光器的不良影响，增强散热性，提高器件的稳定性并延长其寿命。