公开(公告)号：CN104764511A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510193412.6

申请日：2015-04-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 秦利锋 ,  刘海强 ,  张金惠 ,  任奎丽 ,  刘伟 ,  周伟 ,  马盛林

IPC: G01G7/00

Abstract: 本发明提供了一种c轴倾斜氮化镓FBAR压电质量传感器，于包括：敏感层、上电极、信号端、接地端、c轴倾斜氮化镓压电薄膜、刻蚀孔、下电极、布拉格反射层和衬底；所述信号端和接地端在c轴倾斜氮化镓压电薄膜的顶部排布；所述上电极与信号端连接，并且涂覆有所述敏感层；下电极通过设置在压电薄膜的刻蚀孔与接地端相连；下电极沉积在布拉格反射层上，布拉格反射层沉积在衬底上。本发明提出的一种c轴倾斜氮化镓FBAR压电质量传感器，压电薄膜采用c轴倾斜的氮化镓压电薄膜，优选一定c轴倾斜角，可以使质量传感器在潮湿环境或液相环境中正常工作。

公开(公告)号：CN105405838A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510593503.9

申请日：2015-09-17

Applicant: 苏州含光微纳科技有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  罗荣峰 ,  陈兢 ,  夏雁鸣 ,  任奎丽 ,  颜俊

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种新型TSV转接板及制作方法。该转接板包括基板，所述基板上有若干个自由柱，其一端通过空隙与基板相分离，另一端通过绝缘材料与基板固定与绝缘，所述基板上下两面以及所述的自由柱的侧壁覆盖着一层绝缘层，自由柱的自由端面和固定端面均存在由金属层构成的欧姆接触。所述基板为低阻硅材料(≤0.1Ω·cm)，所述自由柱与基板间接接触所使用的绝缘材料为二氧化硅、玻璃浆料和树脂的一种；所述与自由柱的自由端及固定端构成欧姆接触的金属层是铜、铝、金、锡等的一种。本发明从根本上避免了像Cu、Au、W与硅衬底存在热膨胀系数失配造成的热应力问题，实现了低热应力TSV转接板。