一株耐铬的石油烃降解菌Thp3-45A及其应用

    公开(公告)号:CN110317741A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910219786.9

    申请日:2019-03-22

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一株耐铬的石油烃降解菌Thp3-45A及其应用,涉及石油烃降解菌。已于2018年11月28日保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏中心保藏编号为CCTCC NO:M 2018837。一株耐铬的石油烃降解菌(Paraburkholderia caribensis)Thp3-45A在处理原油及Cr6+复合污染土壤治理中的应用。石油烃降解菌(Paraburkholderia caribensis)Thp3-45A的分离及应用有效填补了该方面研究的空白,并为实际污染环境的治理工作提供了一套可行的实践方案,展现出巨大的实际应用前景。

    一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112133801A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN202011022463.X

    申请日:2020-09-25

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法,其中,氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜,下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成,介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成,金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中,介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热,且制备工艺简单,所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容,满足大规模光电集成的需要。

    一株耐铬的石油烃降解菌Thp3-45A及其应用

    公开(公告)号:CN110317741B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201910219786.9

    申请日:2019-03-22

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一株耐铬的石油烃降解菌Thp3‑45A及其应用,涉及石油烃降解菌。已于2018年11月28日保藏于中国典型培养物保藏中心,保藏中心保藏编号为CCTCC NO:M 2018837。一株耐铬的石油烃降解菌(Paraburkholderia caribensis)Thp3‑45A在处理原油及Cr6+复合污染土壤治理中的应用。石油烃降解菌(Paraburkholderia caribensis)Thp3‑45A的分离及应用有效填补了该方面研究的空白,并为实际污染环境的治理工作提供了一套可行的实践方案,展现出巨大的实际应用前景。

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