公开(公告)号：CN113451464A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110692043.0

申请日：2021-06-22

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  梅洋 ,  杨帅 ,  应磊莹 ,  侯想 ,  罗荣煌 ,  卢文瑞 ,  陈锋 ,  钟梦洁 ,  刘熠新

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。

公开(公告)号：CN112133801A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202011022463.X

申请日：2020-09-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 梅洋 ,  徐欢 ,  张保平 ,  应磊莹 ,  龙浩 ,  郑志威 ,  罗荣煌 ,  刘杨 ,  钟梦洁 ,  侯想

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/46 ,  H01L33/64 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体照明、光电子技术领域。本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，其中，氮化镓基谐振腔发光二极管从底部到顶部依次包括衬底、下反射镜、透明导电层、P型层、有源区、N型层、N电极和上反射镜，下反射镜由介质膜DBR阵列和金属反射镜构成，介质膜DBR阵列由介质膜DBR单元彼此间隔排布构成，金属反射镜设置在介质膜DBR单元之间的间隙中，介质膜DBR单元和金属反射镜的上表面均与透明导电层的下表面接触。本发明能够同时兼顾谐振腔发光二极管晶体质量、下反射镜在全波段的高反射率、良好的电流注入以及良好的器件散热，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。

公开(公告)号：CN113451464B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110692043.0

申请日：2021-06-22

Applicant: 厦门大学 ,  福建中晶科技有限公司

Inventor： 张保平 ,  徐欢 ,  梅洋 ,  杨帅 ,  应磊莹 ,  侯想 ,  罗荣煌 ,  卢文瑞 ,  陈锋 ,  钟梦洁 ,  刘熠新

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基谐振腔发光二极管及其制备方法，氮化镓基谐振腔发光二极管包括依序层叠设置的支撑基板、高对比度光栅、有源区、N型层，N型层远离有源区的端面上还设置有第一反射镜和N电极；其中，高对比度光栅由P型层和透明导电层组成，P型层的一端面与有源区贴合，P型层的另一端面上经刻蚀形成非平整的光栅结构，透明导电层设置在P型层的光栅结构间隙和表面；本方案直接使用部分P型层及透明导电层作为高对比度光栅结构以替代传统的底部反射镜结构，不仅减小了器件串联电阻，降低吸收损耗，还提高了输出光质量，且制备工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。