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公开(公告)号：CN108767107B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN108682703A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810540087.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L33/26 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX3二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和绝缘介质层分别设置于磁性MnPX3二维晶体的上表面；所述栅电极设置于绝缘介质层的上表面；通过控制III族氮化物的掺杂类型和掺杂浓度，通过调控栅压对磁性MnPX3二维晶体进行静电掺杂，使器件具有I型和II型的可调能带结构和带隙宽度，使得器件在I型能带结构的栅压范围内产生具有可控极化率的旋光效应，在II型能带结构的栅压范围内且在入射光激发下产生具有可控极化率的光电流。
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公开(公告)号：CN108535890A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III-VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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公开(公告)号：CN119892353A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510016145.9
申请日：2025-01-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋LED芯片的量子密钥分发系统，包括：发送端，利用自旋LED芯片发送不同偏振态的偏振光；接收端，利用检测基光路对发送端发送的偏振光进行相位调制，利用检测电路对调制后的光信号进行检测，根据检测结果确认本次通信是否产生密钥；是则根据事先约定的规则将相位变化所对应的测量基转换为0或1；通过输出端输出生成的一串01序列作为密钥。本发明使用自旋LED集成芯片产生可控偏振光信号，通过自旋调控产生特定偏振态的光信号，并利用光电探测器将相位调制后的偏振光信号转换为电信号，可在高速、高带宽的光通信系统中实现更稳定、更安全的信号传输；也为未来的光计算和量子信息处理提供了可能性。
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公开(公告)号：CN108535890B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810541755.0
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构，包括：由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中，激发III‑VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁，产生旋光现象，通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场，在0～100％范围内调控自旋极化电子的自旋极化率，实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108682703B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810540087.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L33/26 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX3二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和绝缘介质层分别设置于磁性MnPX3二维晶体的上表面；所述栅电极设置于绝缘介质层的上表面；通过控制III族氮化物的掺杂类型和掺杂浓度，通过调控栅压对磁性MnPX3二维晶体进行静电掺杂，使器件具有I型和II型的可调能带结构和带隙宽度，使得器件在I型能带结构的栅压范围内产生具有可控极化率的旋光效应，在II型能带结构的栅压范围内且在入射光激发下产生具有可控极化率的光电流。
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公开(公告)号：CN108767107A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN210605251U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201920995783.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开一种具有电控极化率的可变波长二维旋光器件，包括电致伸缩基片、与电致伸缩基片底面连接的第一和第二导电电极、层叠设置在电致伸缩基片上表面的增强光吸收层、第一透明导电电极、III-VI族硫属化物二维材料、BN二维材料绝缘层、以及第二透明导电电极；该器件在圆偏光激发下可产生具有可控圆偏振极化率的旋光效应，通过在与电致伸缩基片连接的第一和第二导电电极之间施加适当电压可调控该旋光的圆偏振极化率，且通过在第一和第二透明导明电极之间施加适当电压可使该旋光波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调。
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公开(公告)号：CN208921994U
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201820922881.6
申请日：2018-06-14
Applicant: 厦门大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型公开一种具有电场可调极化率的二维旋光器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极；该器件在激光入射下可产生旋光现象，且旋光极化率可通过垂直电场调控；所述垂直电场是通过第一透明电极和第二透明电极向第一BN二维材料、掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料所组成的三明治结构施加一个范围为-1V/Å~1V/Å的垂直方向电压，该垂直方向电压可调节掺杂铁磁金属的III-VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变。
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公开(公告)号：CN210837794U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201920997067.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本实用新型公开一种具有电场可控极化率的旋光发光二极管器件，包括基片、层叠设置在基片上表面的绝缘介电层、第一导电电极、空穴注入层、磁性MnyFe1‑yPX3(X＝S,Se)二维材料有源层、电子注入层、以及第二导电电极；该器件可通过在第一和第二导电电极之间施加电压而产生旋光现象；所述旋光的波长可通过MnyFe1‑yPX3二维材料的Mn、Fe组分加以调控，且所述旋光的极化率可通过第一和第二导电电极之间的电压大小加以调控。
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