-
公开(公告)号：CN113871468A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
-
公开(公告)号：CN113871468B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202110817730.0
申请日：2021-07-20
Abstract: 本发明公开了一种具有叠栅结构的碳化硅MIS器件及其制备方法，其器件结构包括至下而上依次设置的背电极、N+型4H‑SiC外延材料基片层、AlN与Al2O3堆叠的栅介质层、栅电极。本发明通过采用高介电常数的AlN与Al2O3材料结合为叠栅结构介质层，以氮等离子体对底层栅介质AlN进行表面钝化，实现了表面平整无重构，优化了底层栅介质与上层栅介质的界面连接，改善了碳化硅MIS器件的衬底和栅介质的界面特性，提高了载流子迁移率和临界击穿场强，最终提升器件性能。
-
公开(公告)号：CN114566544A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210206631.3
申请日：2022-03-03
Inventor： 李煦
IPC: H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率自旋场效应晶体管，包括源电极、漏电极、栅电极、半导体沟道、衬底。相对现有基于单一半导体沟道的自旋场效应晶体管，本半导体沟道结构具有能带结构可调、迁移率高、载流子浓度和种类可调、自旋扩散长度长等优势；相对传统衬底的自旋场效应晶体管，本发明引入具有压电特性的衬底，可通过衬底的表面极化电场调控载流子在半导体沟道内的自旋输运，可以有效降低开启或关断电压，提升栅极控制效果；相对现有自旋场效应晶体管制备工艺，本发明可以优化自旋隧穿层的晶体质量，提升载流子的自旋极化率，进而提高器件的开关比，降低工作电流。
-
公开(公告)号：CN113013229A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110209222.4
申请日：2021-02-25
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件的制备。
-
公开(公告)号：CN118731418A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749995.5
申请日：2024-06-12
Abstract: 本发明属于显微分析技术领域，具体公开了一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法，包括以下步骤：将PDMS薄膜平整地贴合于初始生长衬底上的待转移的层状材料表面，获得PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底置于去离子水中浸泡，随后在去离子水中将PDMS薄膜/层状材料与初始生长衬底剥离；将获得的PDMS薄膜/层状材料拾取并贴合于目标衬底，得到PDMS薄膜/层状材料/目标衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/目标衬底加热后，趁热将PDMS薄膜剥离，获得层状材料/目标衬底，实现单一的层状材料转移至目标衬底。同时采用本发明还可以实现界面高质量的层状材料同质结或异质结的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117538264A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311820654.4
申请日：2023-12-27
Abstract: 本发明涉及光电测试领域，提供一种多功能光谱光电测试系统，其中多功能光谱光电测试系统包括：激光器，用于发射不同波长的激光，激光照射到待测目标后形成激光光谱，激光光谱用于表征待测目标的物理特性；显微物镜，设置在激光器发射的激光的光路上，用于将激光器发出的激光汇聚到待测目标表面，并用于对待测目标表面进行宏观观测；光谱仪，用于对待测目标表面的激光光谱进行线偏振测试和/或圆偏振测试。用以解决现有技术中的光电测试仪器功能单一，难以对待测物体进行全方位的测试，因此测试结果不准确的缺陷，集成了线偏振和圆偏振的多种光谱光电测试，灵活可变，功能多样、且便于功能进一步拓展。
-
公开(公告)号：CN116565013A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310227566.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了自旋场效应晶体管及其制备方法，晶体管的沟道材料使用由二维过渡金属硫族化合物与低自旋轨道耦合(SOC)的半导体材料构成的II型半导体异质结。晶体管的源极采用非磁性金属形成欧姆接触，漏极采用铁磁金属/超薄介质材料构成磁性隧穿电极，而栅极采用包含非磁金属/栅绝缘层的金属‑氧化物‑半导体结构。通过圆偏振光照射半导体沟道，在TMDC导带中产生高自旋极化率的电子，并通过异质结界面迁移到低SOC半导体层中。在自旋输运过程中，自旋极化方向受到栅极电压的调制，并通过漏极检测自旋方向，使器件呈现不同的电阻状态。本发明还提供了上述异质结的制备方法。
-
公开(公告)号：CN119063832B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411559845.4
申请日：2024-11-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明涉及一种基于多芯光纤的二维微弱振动探测仪及实时分析方法，属于微弱振动测量技术领域，通过一束激光出射后，经过连接振动源的凹面反射镜反射，反射光分光后分别在单芯光纤与四芯光纤端面进行耦合。当振动源带动反射镜振动时，反射光斑将发生偏移，从而改变光与光纤的耦合效率。光纤出射端则连接探测器，探测到出射光功率大小及分布后，通过数据采集卡导入电脑端进行自动化的采集与数据处理。本实验以光斑‑单芯光纤最大耦合位置作为基准矫正测量零点，设计光路通过反射镜引起光斑移动，再通过出射光光功率与反射镜位移之间的映射关系进行静态定标，从而获得耦合效率与反射镜位置的定量关系，由此实现动态振动的位移、频率的实时测量。
-
公开(公告)号：CN112635657B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202011593539.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种无线能量采集系统、自旋二极管及其制备方法,包括依次相连的微波天线、阻抗匹配电路、微波整流器和储能单元；该微波整流器采用基于纳米磁性隧道结的自旋二极管。本发明的系统，采用自旋二极管，具有高工作带宽、宽动态范围的特性，且在低输入功率下具有较高的转换效率。
-
公开(公告)号：CN118731419A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410749996.X
申请日：2024-06-12
Abstract: 本发明具体公开了一种适用于扫描隧道显微分析的薄层层状材料剥离的方法，包括以下步骤：取层状材料单晶块体置于两片PDMS薄膜之间，压紧贴实后撕掉一层PDMS薄膜，得到层状材料单晶块体/PDMS薄膜；取高真空导电胶涂于衬底表面，然后将所得层状材料单晶块体/PDMS薄膜的层状材料单晶块体表面与衬底压紧贴实，得到PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；将PDMS薄膜/层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底加热使导电胶固化，加热结束后将PDMS薄膜撕掉，得到层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底；取粘性胶带贴合于层状材料单晶块体/高真空导电胶/衬底的层状材料单晶块体的外表面，然后迅速撕掉胶带，重复该过程直到层状材料呈浅蓝色或接近透明。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.062 seconds)
