公开(公告)号：CN116779720A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310742575.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  黄东林 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

Abstract: 一种远程氧等离子体钝化Ge表面的方法，首先通过等离子体增强原子层沉积系统中的远程氧等离子体对Ge表面进行处理，以形成稳定的GeO2薄层，降低Ge与SiO2直接接触时的高界面态密度，之后原位生长Al2O3薄层作为保护层防止GeO2潮解，最后沉积SiO2钝化层，实现Ge表面的有效钝化。

公开(公告)号：CN116779482A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310741286.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/00

Abstract: 一种提高Si基Ge薄膜热稳定性的键合方法，首先采用超高真空CVD在Si衬底上低温外延单晶Ge缓冲层，其次通过原位高温退火释放Ge、Si之间的失配应力，之后与H+注入后的Ge片室温贴合并低温退火实现Ge薄膜的智能剥离，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基Ge薄膜制备。