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发明公开
一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118360671A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410575524.7

申请日：2024-05-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 林光杨 , 安宇英 , 李成 , 陈松岩 , 黄巍

IPC: C30B29/52 , C30B23/02 , C23C14/35 , C23C14/14

Abstract: 一种低成本高p型自掺杂GeIn单晶薄膜的制备方法，采用磁控溅射法先在Ge衬底上外延不同薄膜材料如Ge、GeSn或GePb缓冲层，其次降低衬底温度，在此基础上低温(210℃～250℃)外延生长一层GeIn单晶薄膜，最终实现低成本高质量和高p型掺杂的GeIn薄膜制备。

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