公开(公告)号：CN102002683A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010582867.4

申请日：2010-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王辅明 ,  张玲 ,  崔万国 ,  黎琼钰

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/505

Abstract: 一种含氢类金刚石膜的制备方法。涉及类金刚石膜，提供一种含氢类金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底正面正对着源电极放入等离子体增强型化学气相沉积生长腔体内，用等离子体溅射清洗等离子体增强型化学气相沉积生长腔体以及衬底表面；将腔体抽真空，通入含氢气体，调节工作压强和射频功率，进行含氢类金刚石膜的生长；生长结束后，停止通入含氢气体，抽净尾气，即得含氢类金刚石膜。通过在生长腔体中将衬底相对于源电极反向平行放置后，并调整衬底与源电极距离，改变工作压强和射频功率的等离子体增强型化学气相沉积法可实现更大范围的调制类金刚石膜的光学带隙并能够显著提高其生长速率，满足其未来的应用需求。

公开(公告)号：CN102002683B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010582867.4

申请日：2010-12-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王辅明 ,  张玲 ,  崔万国 ,  黎琼钰

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/505

Abstract: 一种含氢类金刚石膜的制备方法。涉及类金刚石膜，提供一种含氢类金刚石膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底正面正对着源电极放入等离子体增强型化学气相沉积生长腔体内，用等离子体溅射清洗等离子体增强型化学气相沉积生长腔体以及衬底表面；将腔体抽真空，通入含氢气体，调节工作压强和射频功率，进行含氢类金刚石膜的生长；生长结束后，停止通入含氢气体，抽净尾气，即得含氢类金刚石膜。通过在生长腔体中将衬底相对于源电极反向平行放置后，并调整衬底与源电极距离，改变工作压强和射频功率的等离子体增强型化学气相沉积法可实现更大范围的调制类金刚石膜的光学带隙并能够显著提高其生长速率，满足其未来的应用需求。