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公开(公告)号：CN119743957A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411961485.0
申请日：2024-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种碳化硅MOS存储器件及其制备方法，属于半导体存储器件领域。包括以下步骤:a.对碳化硅外延片进行有机和无机清洗；b.通过化学反应、化学气相沉积、物理气相沉积在SiC外延片上沉积SiO2薄膜；c.通过原子层沉积在SiO2薄膜上(或直接在SiC外延片上)沉积Al2O3/AlN/AlON薄膜；d.对通过上述步骤生成的栅介质进行氩气退火并且冷却或不退火；e.在栅介质层溅射或蒸镀金属栅电极和背面电极，形成MOS器件结构。通过向栅电极施加不同大小的正电压，向栅介质层中的随能级分布的陷阱填充电子，和向栅极施加负电压同时施加紫外光产生空穴复合栅介质中的电子实现可控数量电荷的存储和释放。
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