公开(公告)号：CN118866986A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410879317.0

申请日：2024-07-02

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  刘正冉 ,  呼殷泽 ,  朱晓钢 ,  张国良 ,  陈雨箭

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 一种具有电荷层场板终端结构的金刚石肖特基二极管器件，由多个元胞并联形成，单个元胞中自下而上依次包括欧姆接触金属层、P+型金刚石衬底层、P‑型金刚石外延层、氧封端金刚石表面层；所述氧封端金刚石表面层的上表面同时与电荷储存介质层以及正面有源区肖特基接触金属层接触，电荷储存介质层正上方为场氧介质层，电荷储存介质层与场氧介质层共同环绕在正面有源区肖特基接触金属层周围，金属场板位于场氧介质层上方及内侧侧壁，并与正面有源区肖特基接触金属层相接。本发明可避免传统场板终端的表面及介质提前击穿问题，提高器件的可靠性及反向耐压，以充分发挥金刚石半导体的极端材料特性与电学特性。

公开(公告)号：CN119743957A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411961485.0

申请日：2024-12-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  呼殷泽 ,  刘正冉 ,  李子豪 ,  张志园 ,  岳良训

IPC: H10B43/30 ,  H10D64/01 ,  H10D64/68

Abstract: 一种碳化硅MOS存储器件及其制备方法，属于半导体存储器件领域。包括以下步骤:a.对碳化硅外延片进行有机和无机清洗；b.通过化学反应、化学气相沉积、物理气相沉积在SiC外延片上沉积SiO2薄膜；c.通过原子层沉积在SiO2薄膜上(或直接在SiC外延片上)沉积Al2O3/AlN/AlON薄膜；d.对通过上述步骤生成的栅介质进行氩气退火并且冷却或不退火；e.在栅介质层溅射或蒸镀金属栅电极和背面电极，形成MOS器件结构。通过向栅电极施加不同大小的正电压，向栅介质层中的随能级分布的陷阱填充电子，和向栅极施加负电压同时施加紫外光产生空穴复合栅介质中的电子实现可控数量电荷的存储和释放。