公开(公告)号：CN114166817A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111387032.8

申请日：2021-11-22

Applicant: 国网福建省电力有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  厦门大学

Inventor： 刘强 ,  江世雄 ,  翁孙贤 ,  熊晨汝 ,  顾家镭 ,  王维礼 ,  田中群 ,  刘国坤 ,  吴水平 ,  陈国伟 ,  王重卿 ,  张建勋 ,  涂承谦 ,  吴文庚 ,  车艳红 ,  李熙 ,  张波

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开一种快速检测分析痕量氯离子的方法，具体包括以下步骤：(1)利用硝酸银溶液制备银纳米粒子溶胶形成SERS增强基底；(2)将经过步骤(1)制得的银纳米粒子溶胶于96孔板中，加入待检测的含有氯离子的溶液，再加入高浓度无机盐诱导银纳米粒子溶胶团聚，形成待测溶液；(3)将待测溶液进行拉曼光谱检测，以位于242cm‑1左右的Ag‑Cl特征拉曼峰为基准，记录特征峰的强度和位置，对待测样品中的氯离子进行定性和定量检测；利用本发明提供的方法能够实现对水体中痕量氯离子的进行定性和定量检测，并具有简便快速、成本低和稳定性高等优点。

公开(公告)号：CN112666151A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202110123684.4

申请日：2021-01-29

Applicant: 国网福建省电力有限公司 ,  国网福建省电力有限公司电力科学研究院 ,  厦门大学

Inventor： 刘强 ,  江世雄 ,  翁孙贤 ,  顾家镭 ,  王维礼 ,  田中群 ,  刘国坤 ,  张波 ,  王重卿 ,  涂承谦 ,  吴文庚 ,  车艳红 ,  程慧青 ,  林纪灿 ,  林明星

IPC: G01N21/65

Abstract: 本发明公开一种快速检测分析痕量溴离子的方法，具体包括以下步骤：(1)利用氯金酸溶液制备金纳米粒子溶胶形成SERS增强基底；(2)溴离子通过形成Au‑Br键而强吸附于金纳米粒子溶胶表面；(3)加入高浓度无机盐诱导金纳米粒子溶胶团聚；(4)进行拉曼光谱检测，以位于178cm‑1左右的Au‑Br特征拉曼峰为基准，对待测样品中的溴离子进行定性和定量检测；利用本发明提供的方法能够实现对水体中痕量溴离子的进行定性和定量检测，并具有简便快速、成本低和稳定性高等优点。

公开(公告)号：CN115148895B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202111428295.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  张波 ,  黄世明 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

Abstract: 无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。

公开(公告)号：CN115148895A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202111428295.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  张波 ,  黄世明 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

Abstract: 无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。

公开(公告)号：CN116193970A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111412744.0

申请日：2021-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  黄世明 ,  张波 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/20

Abstract: 一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法，涉及自旋电子学。在硅衬底上制备长条状单层石墨烯，再制备双层h‑BN并转移到单层石墨烯上作为隧穿层，旋涂PMMA，利用EBL系统曝光出铁磁电极形状，曝光结束后显影；将样品放入电子束/热蒸发复合镀膜系统，先用热蒸镀法预蒸镀低熔点金属铟作为缓冲层，再电子束蒸镀钴作为铁磁电极，200℃下氩气氛退火1h形成In/Co混溶合金界面，得有缓冲层的自旋阀器件。该方法形成铁磁电极层‑缓冲层‑隧穿层的无损界面，实现提高自旋注入效率。易于实现，成本低廉，操作难度和技术要求低，利于大规模产业化应用；方法通用性非常好，可推广至其他带有隧穿层的自旋电子器件中，提高器件自旋注入效率。