公开(公告)号：CN116193970A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111412744.0

申请日：2021-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  黄世明 ,  张波 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/20

Abstract: 一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法，涉及自旋电子学。在硅衬底上制备长条状单层石墨烯，再制备双层h‑BN并转移到单层石墨烯上作为隧穿层，旋涂PMMA，利用EBL系统曝光出铁磁电极形状，曝光结束后显影；将样品放入电子束/热蒸发复合镀膜系统，先用热蒸镀法预蒸镀低熔点金属铟作为缓冲层，再电子束蒸镀钴作为铁磁电极，200℃下氩气氛退火1h形成In/Co混溶合金界面，得有缓冲层的自旋阀器件。该方法形成铁磁电极层‑缓冲层‑隧穿层的无损界面，实现提高自旋注入效率。易于实现，成本低廉，操作难度和技术要求低，利于大规模产业化应用；方法通用性非常好，可推广至其他带有隧穿层的自旋电子器件中，提高器件自旋注入效率。

公开(公告)号：CN115148895B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202111428295.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  张波 ,  黄世明 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

Abstract: 无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。

公开(公告)号：CN117059700A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311024171.3

申请日：2023-08-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张泽阳 ,  孙存志 ,  朱佰鸿 ,  陈家栋 ,  付钊

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0224

Abstract: 石墨烯/4H‑SiC紫外‑红外光电探测器及制备方法，4H‑SiC通过刻蚀形成光栅结构。石墨烯电极覆盖于4H‑SiC光栅的顶部及侧壁。当紫外光入射时，由于石墨烯在紫外波段透明，可增加光敏面积，提高SiC对紫外光的吸收；当红外光入射时，石墨烯吸收光子形成电子空穴对，在电场的作用下分离。光栅结构增加紫外以及红外光在器件表面的反射与折射次数，起到陷光的作用，且光栅边缘处有电场增强，加速光生载流子的分离，提高电极捕获载流子的效率，提高光电流；石墨烯与SiC之间产生的界面态陷阱降低器件的暗电流。本发明能够增加光入射时产生的电子空穴对的数量，降低暗电流，使该器件在紫外与红外波段均具有较高的响应度和探测率。

公开(公告)号：CN115148895A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202111428295.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  张波 ,  黄世明 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

Abstract: 无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。