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公开(公告)号：CN118629976A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410776271.X
申请日：2024-06-17
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种基于金刚石衬底的多芯片集成散热结构及其封装方法，其是将多个芯片通过中介层键合于金刚石晶圆上，于金刚石晶圆上对芯片进行塑封以及重布线，然后再切割封装晶圆形成多芯片封装单元，每一多芯片封装单元包括若干芯片；于多芯片封装单元的金刚石表面依次形成热界面材料层和散热器，得到基于金刚石衬底的多芯片集成散热结构。本发明在金刚石晶圆上直接进行晶圆级封装加工，提高了产品的可靠性和良率，提高了生产效率，可以更灵活地优化芯片布局和互连方式，提高整体性能，具有更好的散热效果，在大功率芯片应用中有着非常广阔的应用前景和发展潜力。
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