公开(公告)号：CN103972773A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410210066.3

申请日：2014-05-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 翁建 ,  罗正钱 ,  孙莉萍 ,  林智钦 ,  黄义忠 ,  彭健

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/11

Abstract: 基于拓扑绝缘体的被动调Q光纤激光器，涉及光纤激光器。设有泵浦源、波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi2Se3纳米片可饱和吸收体；所述波分复用器、掺铒光纤、耦合器、隔离器、偏振控制器和Bi2Se3纳米片可饱和吸收体构成环形腔，泵浦源连接波分复用器的泵浦源输入端；波分复用器公共端连接掺铒光纤一端，掺铒光纤另一端连接耦合器，耦合器一端作为脉冲激光输出端，耦合器另一端连接隔离器输入端，隔离器输出端连接偏振控制器，偏振控制器与Bi2Se3纳米片可饱和吸收体相连，Bi2Se3纳米片可饱和吸收体作为激光被动调Q装置，Bi2Se3纳米片可饱和吸收体与波分复用器连接。

公开(公告)号：CN103979505A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410208150.1

申请日：2014-05-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 翁建 ,  孙莉萍 ,  林智钦 ,  彭健

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种少数层硒化铋纳米片的制备方法，涉及硒化铋体材料。将硒粉、氧化铋、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇和乙二胺四乙酸装入反应釜中进行水热合成反应，得到的混合液离心，去除上清液，再分别用超纯水和无水乙醇洗涤，干燥后得Bi2Se3粉末；将得到的Bi2Se3粉末加入到N-甲基吡咯烷酮溶剂或溶有壳聚糖的醋酸溶液中，超声后，得少数层Bi2Se3纳米片的分散液，再静置，取其上层三分之二的部分放到离心机中低速离心，收集离心所得的上层液，再将所得的上层液放到离心机中高速离心，去掉上清部分，将所得的下层物质用NMP或醋酸溶液进行重分散，最终得到分散在溶液里的少数层硒化铋纳米片。制备方法简便、快捷。

公开(公告)号：CN103979505B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410208150.1

申请日：2014-05-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 翁建 ,  孙莉萍 ,  林智钦 ,  彭健

IPC: C01B19/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种少数层硒化铋纳米片的制备方法，涉及硒化铋体材料。将硒粉、氧化铋、聚乙烯吡咯烷酮、乙二醇和乙二胺四乙酸装入反应釜中进行水热合成反应，得到的混合液离心，去除上清液，再分别用超纯水和无水乙醇洗涤，干燥后得Bi2Se3粉末；将得到的Bi2Se3粉末加入到N-甲基吡咯烷酮溶剂或溶有壳聚糖的醋酸溶液中，超声后，得少数层Bi2Se3纳米片的分散液，再静置，取其上层三分之二的部分放到离心机中低速离心，收集离心所得的上层液，再将所得的上层液放到离心机中高速离心，去掉上清部分，将所得的下层物质用NMP或醋酸溶液进行重分散，最终得到分散在溶液里的少数层硒化铋纳米片。制备方法简便、快捷。