公开(公告)号：CN105655490A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610234624.9

申请日：2016-04-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张风燕 ,  陈果 ,  郑将辉 ,  严鑫 ,  林煌丁 ,  郑灵灵

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)对透明导电基底清洗；(2)在透明导电基底上旋涂制备致密空穴阻挡层；(3)在致密空穴阻挡层上旋涂制备介孔电子传输层；(4)在介孔电子传输层上用连续滴涂法制备钙钛矿型薄膜光吸收层；(5)在钙钛矿型薄膜光吸收层上旋涂制备空穴传输层；(6)在空穴传输层上蒸镀金属背电极，即成。本发明的制备方法利用连续滴涂法制备钙钛矿吸收层，制备的吸收层薄膜结晶性好形貌易于控制，获得晶粒起伏度更大同时晶粒更加规则，获得的钙钛矿太阳电池其器件短路电流，开路电压，填充因子均比现有技术中的液相两步法高，最终实现了高能量转化效率、器件重复性好的钙钛矿太阳电池。

公开(公告)号：CN105655490B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201610234624.9

申请日：2016-04-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张风燕 ,  陈果 ,  郑将辉 ,  严鑫 ,  林煌丁 ,  郑灵灵

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/44

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)对透明导电基底清洗；(2)在透明导电基底上旋涂制备致密空穴阻挡层；(3)在致密空穴阻挡层上旋涂制备介孔电子传输层；(4)在介孔电子传输层上用连续滴涂法制备钙钛矿型薄膜光吸收层；(5)在钙钛矿型薄膜光吸收层上旋涂制备空穴传输层；(6)在空穴传输层上蒸镀金属背电极，即成。本发明的制备方法利用连续滴涂法制备钙钛矿吸收层，制备的吸收层薄膜结晶性好形貌易于控制，获得晶粒起伏度更大同时晶粒更加规则，获得的钙钛矿太阳电池其器件短路电流，开路电压，填充因子均比现有技术中的液相两步法高，最终实现了高能量转化效率、器件重复性好的钙钛矿太阳电池。