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公开(公告)号：CN117293193A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311264299.7
申请日：2023-09-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法。其中该氧化镓肖特基二极管包括设置于低掺杂外延层与阳极电极区之间AlN势垒层；该AlN势垒层的厚度不大于5nm。在氧化镓和阳极金属之间引入了超薄的AlN势垒层，可使氧化镓和阳极金属界面处形成高浓度自由电子，当器件在正向偏压下工作时，自由电子能够隧穿，从而保持低开启电压。进一步的，该AlN势垒层的厚度不大于5nm，其原因在于厚度过大将导致界面处自由电子浓度降低，且自由电子难以通过势垒层，从而影响器件正向导通性能。
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