公开(公告)号：CN119815945A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411951192.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 张峰 ,  刘佳 ,  洪荣墩 ,  田自谦 ,  沈祖俊

IPC: H10F30/225 ,  H10F30/223 ,  H10F77/30 ,  H10F77/1226 ,  H10F71/00

Abstract: 一种p+区与p‑区环状间隔的埋层结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。包含高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层，其中设有环状n型电荷埋层。对应埋层位置设环状高掺杂p+型欧姆接触层，其间隔处为环状低掺杂p‑型吸收层。器件上表面覆盖二氧化硅钝化层，边缘设p+型欧姆接触电极，背面设n+型欧姆接触电极。该结构由多个环状p+‑i‑n和p‑‑i‑n+结构组成，电场耦合使光生载流子加速至p+‑i‑n结构产生雪崩击穿，降低雪崩电压，同时提高光生载流子收集效率，实现高响应度、高外量子效率和紫外全波段探测。

公开(公告)号：CN118867014A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410838206.5

申请日：2024-06-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  田自谦 ,  付钊 ,  李子豪 ,  张锐军 ,  刘佳

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18

Abstract: 一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法，涉及紫外光电探测器。具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管为npn垂直结构，包括从下到上依次设置的发射极电极、N+型4H‑SiC衬底、N+型发射区、P+型基区、P‑型基区、N‑型集电区、N+型集电极欧姆接触层和集电极电极。在N+型集电极欧姆接触层上表面设有供紫外光透过的光学窗口。上述探测器可避免传统碳化硅光电晶体管探测器由于基区过窄导致暗电流过高的问题，提高了光电晶体管对光电流的增益，获得更高的器件响应度并改善器件频率响应特性。