公开(公告)号：CN103151416B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310084674.X

申请日：2013-03-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  蔡晓梅 ,  张江勇 ,  余健 ,  王宇

IPC: H01L31/0693 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/056 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p‑GaN层；InGaN吸收层；n‑GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n‑GaN表面；制作器件台面；制作栅状n‑GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103151416A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084674.X

申请日：2013-03-15

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  蔡晓梅 ,  张江勇 ,  余健 ,  王宇

IPC: H01L31/0693 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/052 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p-GaN层；InGaN吸收层；n-GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n-GaN表面；制作器件台面；制作栅状n-GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。