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公开(公告)号：CN103325894B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310278517.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。
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公开(公告)号：CN104634767A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510094227.1
申请日：2015-03-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 一种氮化镓基谐振腔气体传感器的制备方法，涉及气体传感器。在蓝宝石衬底GaN基外延片上制作图形化分布布拉格反射镜，然后在表面蒸发或溅射第一含金属层；在衬底表面蒸发或溅射第二含金属层；将第一含金属层和第二含金属层贴合，在真空或氮气氛围下键合，再通过激光剥离技术去除蓝宝石衬底；对去除蓝宝石衬底后的GaN基外延片进行器件分离，形成二维阵列结构，接着蒸发或溅射金属电极、分布布拉格反射镜，最后沉积聚合物涂层，完成器件制作。探测灵敏度高，易于制作成二维阵列结构，达到同时检测多种气体的目的，成本低，效率高。基于氮化镓基谐振腔结构，利用器件谐振发光波长的移动确定被检测气体含量，原理简单，制作容易且探测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN104465907A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201510018419.4
申请日：2015-01-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L2933/0033
Abstract: 一种改善P型氮化镓薄膜电学特性的方法，涉及发光二极管。在p-GaN上制作ITO薄膜；用等离子体轰击ITO薄膜；利用缓冲氧化刻蚀剂除去表面因感应耦合等离子体轰击产生的氧化物。通过在传统结构的LED外延层P-GaN薄膜上方沉积一层氧化铟锡，再通过感应耦合等离子体等轰击ITO薄膜，使得轰击后的p-GaN薄膜空穴浓度得到提高，降低电阻率，从而改善了薄膜的电学特性。从根本上避免了传统的提高p-GaN薄膜空穴浓度、降低薄膜电阻率的方法，即高温退火对InGaN多量子阱的结构和光学特性产生的影响，而且工艺步骤简单。
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公开(公告)号：CN103151416A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310084674.X
申请日：2013-03-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 垂直结构InGaN太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池。所述垂直结构InGaN太阳能电池设有：支撑衬底；键合介质层；金属反射镜层；p-GaN层；InGaN吸收层；n-GaN层；栅状电极。在外延片表面镀上金属电极，并当作反射镜使用；将镀上反射镜的外延片倒置键合于支撑基板上；采用激光剥离技术剥离蓝宝石衬底，将外延薄膜转移到支撑基板上；粗化n-GaN表面；制作器件台面；制作栅状n-GaN表面电极，得垂直结构InGaN太阳能电池。可以避免同侧电极带来的电流不均匀性和局部热效应，延长电池的使用寿命；在电池的背面制作反射镜，增强了对入射光的吸收，增大光生载流子数目，从而有效提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105047783B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047783A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510290286.6
申请日：2015-05-31
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/007 , H01L33/40
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件及其制备方法，涉及GaN基发光器件。所述氮化物半导体发光器件，从下往上依次设有衬底、缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN多量子阱有源层、p型层，p型层上设有闭合环形回路光刻胶图形，在闭合环形回路光刻胶图形上溅射双金属电极层。通过在传统结构的LED外延层p型GaN薄膜上方采用光刻技术进行涂胶、曝光、显影，在其表面形成具有闭合回路形状的光刻图形；然后采用磁控溅射法在图形上沉积金属层，紧接着将样品表面光刻胶剥离干净，形成环形电极；最后将长完电极的样品放入扩散炉中进行退火合金化，从而得到一种氮化物半导体发光器件。工艺简单、成本低，实现器件中高分辨率发光图像控制。
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公开(公告)号：CN103969724A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410220044.5
申请日：2014-05-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种衍射光学元件的制作方法，涉及微光学器件的制作。1)在基片上制作金属层；2)涂胶，光刻显影，腐蚀出金属层作为刻蚀掩膜，该金属层直径为微透镜最外层环带外径；3)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第一个环带；4)第二次涂胶，背面曝光光刻，显影，保留光刻胶，侧向腐蚀步骤2)中的金属层，去除光刻胶；5)正面涂胶，背面曝光显影；6)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第二个环带；7)重复步骤4)，直到刻蚀出所有环带，得到具有多台阶的微透镜衍射光学元件。从根本上避免了传统套刻方法制作微透镜带来的不可避免的误差，减少了制作过程中的工艺步骤，降低了难度，同时也为制作其他多台阶器件提供了途径。
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公开(公告)号：CN103325894A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310278517.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。
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公开(公告)号：CN102522318A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110458460.5
申请日：2011-12-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样品表面没有光刻胶的部分电镀金属衬底，并采用化学法去除光刻胶；把样品键合到支撑衬底上；采用激光光源透过蓝宝石衬底辐照样品，依据激光剥离技术去除蓝宝石衬底，有电镀金属区域的GaN基薄膜则转移到电镀的厚金属衬底，无电镀金属区域的GaN基薄膜发生分裂形成碎片，结果使GaN基外延薄膜实现自分裂和转移。不仅可降低成本、简化工艺，而且可避免金属基板切割和解决因切割金属衬底而造成器件短路问题。
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公开(公告)号：CN101540364B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910111571.1
申请日：2009-04-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。
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