基于谱元法和广义薄片过渡条件的超表面电磁仿真方法

    公开(公告)号:CN112613177B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202011552045.1

    申请日:2020-12-24

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 基于谱元法和广义薄片过渡条件的超表面电磁仿真方法,属于超表面设计领域。1)建立模型:选定二维计算区域、介质材料参数以及入射光束,确定超表面的磁化率参数;2)将计算区域用四边形网格单元剖分,并记录计算区域中每个单元的信息;3)建立二维计算区域SEM‑GSTCs矩阵方程,求解每个结点的场值;4)绘制磁场强度分布图;5)通过重新调整材料合成磁化率的方式,进而改进材料的磁化率张量结构,利用更新后的磁化率张量,重复步骤3)~4),直至获得指定的功能,结束迭代,输出超表面的磁化率张量,并根据磁化率进行下一步超表面的物理结构设计。可极大地节省CPU计算时间和内存,提高超表面设计仿真的效率。

    自适应时间步长有限元法在电子器件热仿真中的应用方法

    公开(公告)号:CN114117864B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202111465599.2

    申请日:2021-12-03

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 自适应时间步长有限元法在电子器件热仿真中的应用方法,属于热场仿真领域。包括步骤:1)构建仿真的几何模型,选定模型中的材料参数;2)对仿真的几何模型进行子区域分割、非相容网格剖分;3)读取子区域网格,对三维模型进行预处理,设定边界条件及材料参数,选取基函数阶数,生成子区域系统矩阵,得到空间离散后的含时矩阵方程组;4)对时间进行离散,自适应时间迭代,求解温度场量,绘制温度分布,并计算求解误差;5)若温度场量的结果不收敛,或误差较大,则通过调整子区域交界面的稳定项系数来修正结果;同时检查设定的迭代误差,重复步骤3)~4),至获得准确的温度场分布。可减少迭代次数及模型运行时间,提高仿真效率。

    自适应时间步长有限元法在电子器件热仿真中的应用方法

    公开(公告)号:CN114117864A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111465599.2

    申请日:2021-12-03

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 自适应时间步长有限元法在电子器件热仿真中的应用方法,属于热场仿真领域。包括步骤:1)构建仿真的几何模型,选定模型中的材料参数;2)对仿真的几何模型进行子区域分割、非相容网格剖分;3)读取子区域网格,对三维模型进行预处理,设定边界条件及材料参数,选取基函数阶数,生成子区域系统矩阵,得到空间离散后的含时矩阵方程组;4)对时间进行离散,自适应时间迭代,求解温度场量,绘制温度分布,并计算求解误差;5)若温度场量的结果不收敛,或误差较大,则通过调整子区域交界面的稳定项系数来修正结果;同时检查设定的迭代误差,重复步骤3)~4),至获得准确的温度场分布。可减少迭代次数及模型运行时间,提高仿真效率。

    基于谱元法和广义薄片过渡条件的超表面电磁仿真技术

    公开(公告)号:CN112613177A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011552045.1

    申请日:2020-12-24

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 基于谱元法和广义薄片过渡条件的超表面电磁仿真技术,属于超表面设计领域。1)建立模型:选定二维计算区域、介质材料参数以及入射光束,确定超表面的磁化率参数;2)将计算区域用四边形网格单元剖分,并记录计算区域中每个单元的信息;3)建立二维计算区域SEM‑GSTCs矩阵方程,求解每个结点的场值;4)绘制磁场强度分布图;5)通过重新调整材料合成磁化率的方式,进而改进材料的磁化率张量结构,利用更新后的磁化率张量,重复步骤3)~4),直至获得指定的功能,结束迭代,输出超表面的磁化率张量,并根据磁化率进行下一步超表面的物理结构设计。可极大地节省CPU计算时间和内存,提高超表面设计仿真的效率。

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