公开(公告)号：CN105871180B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201610216257.X

申请日：2016-04-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘岩 ,  冯勇建 ,  高飞 ,  夏荣菲 ,  黄嵩儒 ,  陈炜 ,  李军

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供了本发明公开了一种能在5‑10V电源电压下工作的大电流CMOS推挽驱动电路及其控制方法，主要应用于大功率MOS的栅极驱动。该电路包括一直流电源、一个线性稳压电路(LDO)、一控制电路、一个NMOS、一个PMOS和输出负载。线性稳压电路和控制电路都直接由直流电源供电，LDO输出与控制电路相连，PWM输入信号接控制电路，控制电路输出两路信号，分别与NMOS和PMOS的栅极相连。该方法通过自适应控制，根据输入PWM信号，在不同的直流电源电压下，控制NMOS/PMOS的打开与关闭，实现对负载驱动。本发明的积极效果是：电路结构简单，扩展了Vgs耐压只有5V的CMOS工艺的应用，拓宽了输入电压范围，提高了输出电压，增强了电路的驱动能力。

公开(公告)号：CN105871180A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610216257.X

申请日：2016-04-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘岩 ,  冯勇建 ,  高飞 ,  夏荣菲 ,  黄嵩儒 ,  陈炜 ,  李军

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/687

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M2001/0006 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明提供了本发明公开了一种能在5?10V电源电压下工作的大电流CMOS推挽驱动电路及其控制方法，主要应用于大功率MOS的栅极驱动。该电路包括一直流电源、一个线性稳压电路(LDO)、一控制电路、一个NMOS、一个PMOS和输出负载。线性稳压电路和控制电路都直接由直流电源供电，LDO输出与控制电路相连，PWM输入信号接控制电路，控制电路输出两路信号，分别与NMOS和PMOS的栅极相连。该方法通过自适应控制，根据输入PWM信号，在不同的直流电源电压下，控制NMOS/PMOS的打开与关闭，实现对负载驱动。本发明的积极效果是：电路结构简单，扩展了Vgs耐压只有5V的CMOS工艺的应用，拓宽了输入电压范围，提高了输出电压，增强了电路的驱动能力。

公开(公告)号：CN1415538A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02154658.4

申请日：2002-12-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 谢素原 ,  高飞 ,  唐紫超 ,  黄荣彬 ,  郑兰荪

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/00

Abstract: 涉及高产率合成C60、C70等富勒烯材料的方法，在现有的富勒烯各种合成反应方法体系的反应装置和反应条件不变下，在反应开始前，通过进样口添加含氯、硫、氢或氰基等原子的自由基物质到反应体系内，所说的含氯、硫、氢或氰基等原子的物质为氯气、四氯化碳、六氯苯、甲烷、氰化钠、氯化银、硫化铜等气态、液态或固态物质。在合成反应进行时，其它反应条件保持不变。本发明的实施过程中不必改变富勒烯合成的反应装置和反应条件，仅通过简单地添加能稳定富勒烯反应中间体的含自由基原子的物质，使富勒烯反应中间体的活性悬挂键为这些自由基所稳定，从而提高这些反应中间体的浓度，使富勒烯的产率得到有效地提高。