公开(公告)号：CN108091746A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711112481.5

申请日：2017-11-13

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 陈功 ,  刘传桂 ,  陈亭玉 ,  林素慧 ,  洪灵愿 ,  许圣贤 ,  彭康伟 ,  张家宏

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。

公开(公告)号：CN108091746B

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201711112481.5

申请日：2017-11-13

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 陈功 ,  刘传桂 ,  陈亭玉 ,  林素慧 ,  洪灵愿 ,  许圣贤 ,  彭康伟 ,  张家宏

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。

公开(公告)号：CN207542270U

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201820090736.6

申请日：2018-01-19

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 王锋 ,  詹宇 ,  陈亭玉 ,  林素慧 ,  洪灵愿 ,  许圣贤 ,  彭康伟 ,  张家宏

IPC: H01L33/38

Abstract: 发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第一电极具有焊盘部和扩展部，所述焊盘部的下方设有绝缘层，所述绝缘层具有至少两个块状结构，围绕所述焊盘区的中心区域分布，所述块状结构之间彼此分离。

公开(公告)号：CN207967031U

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201820379726.4

申请日：2018-03-20

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 陈亭玉 ,  陈大钟 ,  刘传桂 ,  王锋 ,  洪灵愿 ,  曾合加 ,  林素慧 ,  林科闯 ,  彭康伟 ,  张家宏

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/20

Abstract: 本实用新型公开了一种用于LED光源的芯片及用其制备的LED光源，包括：至少一串的LED芯片单元，所述LED芯片单元包括：基板和发光外延层，所述LED芯片单元分为若干个LED子芯片单元，其特征在于：所述基板厚度≥200μm。

公开(公告)号：CN207705238U

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201721906430.5

申请日：2017-12-29

Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司

Inventor： 王锋 ,  陈亭玉 ,  郑高林 ,  洪灵愿 ,  林素慧 ,  徐宸科

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/48

Abstract: 本实用新型公开了一种高压发光二极管，包括：一衬底；以及设置于所述衬底上的若干个LED芯片单元，所述LED芯片单元包括若干个通过隔离槽区域分隔的子芯片，子芯片通过导电连线电性连接，所述子芯片包括衬底以及依次位于衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述N型半导体层为台阶状设置，N型半导体层包括第一台面及第二台面，第一台面的高度低于第二台面的高度，所述发光层、P型半导体层位于第二台面上，所述N型半导体层的第一台面上设有与N型半导体层电性连接的N电极，P型半导体层上设有与P型半导体层电性连接的P电极，其特征在于：于所述隔离槽区域设有反射柱，所述反射柱顶部的水平高度低于或等于所述发光层底部的水平高度。