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公开(公告)号：CN109844968B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN201880003521.9
申请日：2018-01-19
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
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公开(公告)号：CN108281517B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810079397.6
申请日：2018-01-26
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一磊晶片，包括衬底及发光外延层，并形成部分发光外延层；在部分发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；进行电镀工艺，以金属颗粒作为晶种，沿着金属颗粒沉积生长，形成金属导光柱。
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公开(公告)号：CN110088922B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880004805.X
申请日：2018-04-08
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法，结构包括：衬底；发光外延结构，位于所述衬底上，包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层；电流扩展层，形成于所述外延结构的部分表面；绝缘层，包裹所述电流扩展层的侧壁，所述绝缘层具有一系列图案化通孔结构；金属层，形成于所述绝缘层表面，所述一部分金属层通过部分通孔结构与所述透明导电层接触，另一部分金属层通过部分通孔结构与所述发光外延结构接触。
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公开(公告)号：CN108091746B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711112481.5
申请日：2017-11-13
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
IPC: H01L33/44
CPC classification number: H01L33/44
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。
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公开(公告)号：CN106206896B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610698678.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整。其形成的复合图形化蓝宝石衬底，有效地增加了图案表面积，使得反光区域增大，出光效率增高。同时底部C面区域平整，减小了外延生长的难度，外延生长表面外观较好，减少了外延层的内部缺陷，从而降低蓝宝石衬底上外延材料的穿透位错密度，提升外延层质量，有利于半导体元件的光提取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108346721A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810079389.1
申请日：2018-01-26
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/46
Abstract: 本发明提出一种发光二极管的制作方法，包括工艺步骤：提供一衬底，并生长第一发光外延层；在第一发光外延层上形成掩膜层并进行图案化，形成图案化掩膜层；进行蚀刻工艺，使得第一发光外延层形成图案化凹凸结构；在图案化凹凸结构的凹坑中形成金属颗粒；继续生长第二发光外延层。
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公开(公告)号：CN106206896A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610698678.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0066
Abstract: 本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整。其形成的复合图形化蓝宝石衬底，有效地增加了图案表面积，使得反光区域增大，出光效率增高。同时底部C面区域平整，减小了外延生长的难度，外延生长表面外观较好，减少了外延层的内部缺陷，从而降低蓝宝石衬底上外延材料的穿透位错密度，提升外延层质量，有利于半导体元件的光提取。
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公开(公告)号：CN113851564A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111094317.2
申请日：2018-01-19
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，在一些实施例中，所述发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；绝缘层，形成于所述第一半导体层的扩展区之上；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并覆盖所述绝缘层；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述扩展区形成第一开口，露出所述扩展区的透明导电层之部分表面；第一电极，形成于所述保护层上，包括焊盘部和扩展部，所述扩展部通过所述第一开口与所述扩展区的透明导电层形成电性连接。
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公开(公告)号：CN110998872A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201980003933.7
申请日：2019-03-01
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及制备方法，该发光二极管包括:衬底，具有相对的上、下表面；DBR反射层，形成于所述衬底的上表面之上；半导体叠层，形成于所述DBR反射层之上，发射具有的第一波长的光；所述DBR反射层对于第一光波的反射率为30%以下；对于不同于第一光波的波长的第二光波的反射率为60%以上，所述第一光波为所述发光二极管发射，所述第二光波非所述发光二极管发射。
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公开(公告)号：CN109378376B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201811116261.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 厦门市三安光电科技有限公司
Abstract: 本发明提出了一种发光二极管结构，包括：由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层，其厚度为T，露出台面的第一半导体层，连接至第二半导体层的第二电极，以及绝缘保护层，其特征在于：于所述台面上形成有一突起结构，其宽度为D0，高度为H0，且第一电极包裹所述突起结构并连接至所述第一半导体层，所述第一电极外表面具有一台阶，定义位于所述台阶之上的第一电极为上电极部，其宽度为D1，高度为H1，位于所述台阶之下的第一电极为下电极部，其宽度为D2，高度为H2，所述绝缘保护层附着于所述下电极部的侧壁及台阶的上表面。
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