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公开(公告)号：CN111455339A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010441415.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 厦门市计量检定测试院
Abstract: 本发明涉及一种垂直碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：(1)于基体表面依次镀上缓冲层和催化剂层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；(2)将镀有缓冲层和催化剂层的基体置于化学气相沉积反应腔体中，通入碳源，于650-900℃条件下进行反应，直至在催化剂层表面析出并形成所述垂直碳纳米管阵列。本发明的垂直碳纳米管阵列的制备方法工艺难度较小，可达到进行生长垂直碳纳米管阵列的要求，设计数十微米的VACNTs可达到理想的超黑高吸收效果。
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公开(公告)号：CN108760238A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810569022.8
申请日：2018-06-05
Applicant: 厦门市计量检定测试院
IPC: G01M11/00
CPC classification number: G01M11/00
Abstract: 本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED量值溯源用光参数标准老化监测装置及方法，其装置包括多组的通道测试单元、供电电源和数据处理器；所述供电电源分别为多组的通道测试单元供电，多组的所述通道测试单元分别与数据处理器连接；每组的通道测试单元包括一待测试LED光源和用于采集所述待测试LED光源的光信号的探测器；多组的通道测试单元相互隔离设置且两两待测试LED光源之间相互不受干扰；所述数据处理器包括光信号转换单元、比较单元和存储单元；所述存储单元存储有LED量值溯源用光参数标准老化参数对照表；所述光信号转换单元与探测器连接；所述光信号转换单元和存储单元分别与比较单元连接。
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公开(公告)号：CN111455339B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010441415.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 厦门市计量检定测试院
Abstract: 本发明涉及一种垂直碳纳米管阵列的制备方法，包括以下步骤：(1)于基体表面依次镀上缓冲层和催化剂层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；(2)将镀有缓冲层和催化剂层的基体置于化学气相沉积反应腔体中，通入碳源，于650‑900℃条件下进行反应，直至在催化剂层表面析出并形成所述垂直碳纳米管阵列。本发明的垂直碳纳米管阵列的制备方法工艺难度较小，可达到进行生长垂直碳纳米管阵列的要求，设计数十微米的VACNTs可达到理想的超黑高吸收效果。
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公开(公告)号：CN117054469A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311129021.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 厦门市计量检定测试院 , 北京拉莫尔科技发展有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原位表征碳纳米管浆料分散性的核磁共振方法，属于碳纳米管浆料分散性测试技术领域，包括以下步骤：测试所述碳纳米管浆料中溶剂的T2弛豫谱，得到溶剂的谱峰；测试所述碳纳米管浆料的T2弛豫谱，得到浆料的谱峰；对溶剂的谱峰和固体颗粒的谱峰进行数量和宽度对比，若浆料T2弛豫谱的谱峰为单峰，且谱峰的宽度变化量小于溶剂谱峰的宽度变化量，则浆料的分散性合格。具有检测速度快、测量准确性高、重复性和一致性好、且无需对浆料任何处理等优势，可实现浆料分散性的实时与原位检测，弥补传统浆料分散性测试方法的缺点和不足。
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公开(公告)号：CN119986504A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510168638.4
申请日：2025-02-17
Applicant: 厦门市计量检定测试院
Abstract: 本发明公开了一种绝缘性能检测装置的电压校准方法及终端。该方法包括获取变压器的实际电压，并确定所述实际电压所属的电压区间；获取所述变压器内与所述电压区间相对应的历史校准数据，并根据所述历史校准数据计算当前校准因子；根据所述当前校准因子更新所述实际电压得到标准电压，以基于所述标准电压控制所述变压器的输出电压，所述输出电压用于对绝缘手套或绝缘鞋靴进行绝缘性能测试；将所述标准电压和所述当前校准因子标记为历史校准数据。本发明能够对装置的输出电压进行自动校准，从而提高检测的准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114964735A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210637148.0
申请日：2022-06-07
Applicant: 厦门市计量检定测试院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种显示屏偏光片的偏光性能检测装置及其偏光性能检测方法，包括光源、偏光组件、旋转组件、光电感应器组件和处理器；偏光组件包括至少两个偏振化方向不同的标准偏光片，光电感应器组件包括与各标准偏光片一一对应的光电感应器；偏光组件设置于旋转组件上；光源位于偏光组件的一侧，且均匀照射各标准偏光片；光电感应器组件位于偏光组件的另一侧，且各光电感应器在光源上的投影分别位于各标准偏光片在光源上的投影内；处理器分别与各光电感应器通信连接。本发明可更加快速准确地检测待测偏光片的偏光性能。
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公开(公告)号：CN108168696A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810084574.X
申请日：2018-01-29
Applicant: 厦门市计量检定测试院
IPC: G01J3/02
Abstract: 本发明公开了一种光谱辐射计的校准装置，包括光源、积分球、光学暗箱、第一电动滤光片轮、第二电动滤光片轮和控制系统；积分球设有出光孔；光学暗箱设有正对的入射光阑和出射光阑；第一电动滤光片轮和第二电动滤光片轮安装于光学暗箱内并与控制系统电连接；第一电动滤光片轮设有多个第一滤光片，第二电动滤光片轮设有多个第二滤光片；光源安装于积分球内，光源发出的光在积分球内反射后依次经过出光孔、入射光阑、第一滤光片和第二滤光片后从出射光阑出射。采用该校准装置能使得本发明出射的光能满足多种光谱辐射计校准时所需，从而避免现有技术中由于需要更换标准光源所带来的不足。本发明还公开了一种光谱辐射计的校准方法。
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公开(公告)号：CN212559473U
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202020882465.5
申请日：2020-05-22
Applicant: 厦门市计量检定测试院
Abstract: 本实用新型涉及一种垂直碳纳米管阵列，包括由下至上依次设置的基体层、缓冲层和催化剂层，所述基体层为硅层，所述缓冲层为Al2O3膜层，所述催化剂层为铁膜层、钴膜层或镍膜层；所述基体层的厚度为725±5μm，所述缓冲层的厚度为16.72±5nm，所述催化剂层的厚度为2.62±5nm。本实用新型的垂直碳纳米管阵列，通过层级以及层级厚度的设计，其缓冲层和催化剂层的薄膜厚度达到了纳米级，使得设计数十微米的VACNTs即可达到理想的超黑高吸收效果。
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公开(公告)号：CN208043242U
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201820145646.2
申请日：2018-01-29
Applicant: 厦门市计量检定测试院
IPC: G01J3/02
Abstract: 本实用新型公开了一种光谱辐射计的校准装置，包括光源、积分球、光学暗箱、第一电动滤光片轮、第二电动滤光片轮和控制系统；积分球设有出光孔；光学暗箱设有正对的入射光阑和出射光阑；第一电动滤光片轮和第二电动滤光片轮安装于光学暗箱内并与控制系统电连接；第一电动滤光片轮设有多个第一滤光片，第二电动滤光片轮设有多个第二滤光片；光源安装于积分球内，光源发出的光在积分球内反射后依次经过出光孔、入射光阑、第一滤光片和第二滤光片后从出射光阑出射。采用该校准装置能使得本实用新型出射的光能满足多种光谱辐射计校准时所需，从而避免现有技术中由于需要更换标准光源所带来的不足。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN218035622U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222008736.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 厦门市计量检定测试院
IPC: G01M11/02
Abstract: 本实用新型公开了一种偏光轴位检测装置，包括两个偏光片、两个光电感应器、标准偏光片、旋转组件、光源和处理器，两个偏光片的偏振化方向之间的夹角为45°；标准偏光片设置于旋转组件上；光源位于标准偏光片的一侧，且均匀照射标准偏光片；两个偏光片位于标准偏光片的另一侧，且两个偏光片位于同一平面，标准偏光片在同一平面上的投影覆盖两个偏光片；两个光电感应器分别设置于两个偏光片远离光源的一面上；处理器分别与两个光电感应器通信连接。本实用新型可更加快速准确地检测偏光镜片的轴位偏差。
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