一种稀土基锡酸盐高熵辐射制冷陶瓷材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118324513A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410322545.8

    申请日:2024-03-20

    Abstract: 本发明公开一种稀土基锡酸盐高熵辐射制冷陶瓷材料及其制备方法。本发明采用固相合成法制备稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料,制备工艺简单,合成得到的稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料的纯度高,可大规模应用。本发明的稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料一方面稀土离子因其独特的电子层表现出良好的光学性质,在可见‑近红外波段表现出高的反射率;另一方面,应用高熵的“晶格畸变”效应通过引入尺寸差异更大的稀土元素从而进一步增大晶格畸变程度,使得稀土基锡酸盐高熵陶瓷材料在中红外波段具有高的发射率。

Patent Agency Ranking