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公开(公告)号:CN112805414B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN201980063727.5
申请日:2019-09-18
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种具备优异的激光加工性的表面处理铜箔。其是对表面进行粗化处理形成粗化面的表面处理铜箔,使用三维粗糙度测量仪测定的粗化面的表面偏度Ssk在‑0.300以上且小于0的范围内,并且,顶点曲率算术平均值Ssc在0.0220nm‑1以上且小于0.0300nm‑1的范围内。
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公开(公告)号:CN108603303A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201780008477.6
申请日:2017-01-23
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面处理铜箔及使用其制造而成的覆铜层叠板,其确保与绝缘基板的充分的密接性且兼具高度的回流耐热性与传输特性。本发明的表面处理铜箔在铜箔基体(110)上设置粗面化层(120)而成,其特征在于,该粗面化层(120)通过粗化粒子而形成有凹凸表面,在与该铜箔基体面正交的剖面,沿所述粗面化层(120)的凹凸表面而测定的沿面长度(Da)相对于沿所述铜箔基体面而测定的沿面长度(Db)之比(Da/Db)处于1.05至4.00倍的范围,且所述凹凸表面的凹凸的平均高低差(H)处于0.2至1.3μm的范围,进而在所述粗面化层(120)上直接地或介隔中间层地具有以0.0003至0.0300mg/dm2的硅烷附着量而形成的硅烷偶联剂层。
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公开(公告)号:CN107709629A
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201680034809.3
申请日:2016-08-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供表面处理铜箔等,其适用于能够对应于高频化对应信息通信设备的高性能化/高功能化的覆铜层压板或印刷布线板。本发明的表面处理铜箔M用于通过与介电常数为2.6~4.0的第一树脂基材B1的层压粘附而形成覆铜层压板,在与第一树脂基材B1的贴合面具有满足如下所示的条件1的表面处理层。条件1:在通过蚀刻从所述覆铜层压板使铜箔部分全部溶解而得到的第一树脂基材B1的表面层压粘附第二树脂基材B2时,第一树脂基材B1与第二树脂基材B2的粘附界面S的界面高度H为0.15~0.85μm,存在于粘附界面S的凹凸数在每2.54μm宽度中为11~30个。
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公开(公告)号:CN101682135A
公开(公告)日:2010-03-24
申请号:CN200880019485.1
申请日:2008-03-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: H01R13/03 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/50 , C25D7/00 , H01R13/04 , H01R13/113 , H01R43/16 , Y10T428/12458 , Y10T428/12708 , Y10T428/12715 , Y10T428/12722
Abstract: 本发明涉及一种连接器和连接器用金属材料,所述连接器的公头和母头的至少一方的至少接点部分的最表面由金属材料形成,所述金属材料是Cu浓度朝向表面逐渐减小的Cu-Sn合金层,所述连接器用金属材料是用于该连接器的金属材料,其最表面由Cu浓度朝向表面逐渐减小的Cu-Sn合金层构成。
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公开(公告)号:CN110546313A
公开(公告)日:2019-12-06
申请号:CN201880026487.7
申请日:2018-04-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明题为“表面处理铜箔”。本发明的目的在于:消除铜箔与树脂的压制接合导致的粘接不良,该铜箔利用烯烃系硅烷偶联剂对铜箔的粗化处理面实施了硅烷偶联处理而成。本发明是一种表面处理铜箔,其中,在利用接触式粗糙度测定器进行测定时,粗化处理层侧的面的表面粗糙度Rz为1.10μm以下,并且所述粗化处理侧的面的最小自相关长度Sal为0.20μm以上且0.85μm以下,并且所述粗化处理侧的面的界面扩展面积比(Sdr)为20%至300%的范围。
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公开(公告)号:CN109642338A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201780051185.0
申请日:2017-09-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: B32B15/04 , B32B15/20 , C25D1/04 , C25D5/12 , C25D5/18 , C25D7/06 , H05K1/09 , H05K3/38
Abstract: 本发明题为“铜箔以及具有该铜箔的覆铜板”。本发明的目的在于,提供一种铜箔及使用该铜箔的覆铜板,所述铜箔可实现优异的密合性、传输特性及耐热性。本发明的铜箔的特征在于,在用根据通过JIS B0631:2000规定的图形法(Motif method)确定的粗糙度图形计算出的起伏数Wn及粗糙度图形平均深度R表示铜箔的粘贴表面的特征时,起伏数Wn为11个/mm~30个/mm,且粗糙度图形平均深度R为0.20μm~1.10μm。
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公开(公告)号:CN102713020B
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201180004965.2
申请日:2011-01-21
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 新日铁住金化学株式会社
CPC classification number: C25D5/34 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B2457/00 , C22C19/002 , C22C19/03 , C25D3/562 , C25D5/48 , H05K3/384 , H05K2201/0154 , Y10T156/10 , Y10T428/12438 , Y10T428/12451 , Y10T428/12472 , Y10T428/12535 , Y10T428/12556 , Y10T428/12792 , Y10T428/12882 , Y10T428/1291
Abstract: 本发明提供一种工业上优异的表面处理铜箔,可满足与聚酰亚胺等绝缘树脂的粘合性、耐热粘合性、耐药品性及软蚀刻性。并且提供一种表面处理铜箔的制造方法,绝缘树脂与铜箔间的粘接强度强,在形成电路时具有耐药品性,在由激光加工形成孔后也有良好的软蚀刻性。对基材铜箔进行粗化处理,使表面粗糙度Rz在1.1μm以下,在该粗化处理表面上形成Ni-Zn合金层。所述粗化处理在粗化处理面上形成宽度为0.3~0.8μm,高度为0.6~1.8μm,高宽比为1.2~3.5的前端尖细的凸部形状,使所述基材铜箔的表面粗糙度Rz在增加0.05~0.3μm的范围内实施,所述Ni-Zn合金层的Zn含量(wt%)为6~30%,Zn附着量在0.08mg/dm2以上。
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公开(公告)号:CN102203326A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200980144636.0
申请日:2009-09-04
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C25D1/20 , B32B15/01 , B32B15/08 , B32B15/20 , C22C9/00 , C25D1/04 , C25D3/38 , C25D5/12 , C25D5/48 , H05K3/025 , H05K2203/0315 , Y10T428/2495 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的在于提供一种带有载体的极薄铜箔,它能抑制起泡的发生并且剥离强度稳定,具体地提供一种带有载体的极薄铜箔,即使在高温环境下也能容易地将载体箔从极薄铜箔上剥离。为此,本发明提供一种由载体箔、脱离层和铜箔组成的带有载体的极薄铜箔,其中脱离层由位于载体箔一侧的第一脱离层和位于极薄铜箔一侧的第二脱离层形成,所述载体箔和所述第一脱离层之间是第一界面,所述极薄铜箔和第二脱离层之间是第二界面,所述第一脱离层和第二脱离层之间是第三界面,并且界面间的剥离强度为第一界面>第三界面,且第二界面>第三界面。
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公开(公告)号:CN101809177A
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200880109559.0
申请日:2008-10-02
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: C22C9/06 , C22F1/08 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/49579 , H01L2924/0002 , Y10T428/12993 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种电气电子部件用铜合金板材,其含有1.5~4.0质量%的Ni、0.3~1.5质量%的Si,余量由Cu和不可避免的杂质构成,其中,板的轧制直角方向的表面粗糙度的平均粗糙度Ra为0.3μm以下,最大高度Ry为3.0μm以下,且表示表面粗糙度的凹凸成分的频数分布曲线中的峰值位置处于比表示上述表面粗糙度的曲线的平均值大的一侧(凸成分)。
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公开(公告)号:CN101743345A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200880018282.0
申请日:2008-05-29
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种电气电子零件用金属材料,在导电性基体(1)上设置有Cu-Sn合金层(2),其中,所述Cu-Sn合金层,Cu浓度从所述基体侧朝向表面(3)侧逐渐减小。
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