公开(公告)号：CN114647143A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210058456.8

申请日：2022-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何力键 ,  赖建任 ,  山添贤治 ,  周欣 ,  彭丹平

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明实施例涉及用于向量光学图像模拟的多组件内核。根据本发明的一些实施例，一种增强布局图案的方法包含基于光刻系统的光学系统的照明源及所述光学系统的出射光瞳来确定所述光刻系统的所述光学系统的向量透射交叉系数(向量TCC)算子。所述方法还包含执行光掩模的布局图案的光学近接校正OPC操作以产生OPC校正的布局图案。所述OPC操作使用所述向量TCC算子来确定所述光掩模的所述布局图案在晶片上的投影图案。所述方法包含在掩模坯料上产生所述OPC校正的布局图案以产生光掩模。

公开(公告)号：CN115308988A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210587605.X

申请日：2022-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山添贤治 ,  吴秉杰 ,  伍海涛 ,  何力键

IPC: G03F1/76 ,  G03F1/36 ,  G03F1/56

Abstract: 本申请公开了制造半导体器件的方法和制造半导体器件的图案形成方法。在用于半导体器件制造的图案形成方法中，获得用于制造光掩模的原始图案；通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案；获得相对于经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(SRAF)种子图，该SRAF种子图指示图像质量通过SRAF图案被改进的位置；在原始图案周围放置SRAF图案；输出SRAF图案和经修改的原始图案作为掩模数据；以及使用掩模数据来制造光掩模。

公开(公告)号：CN110929366A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910773551.4

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何力键

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/16 ,  G06F17/14 ,  G03F1/68 ,  G03F1/36

Abstract: 本发明提供一种用于计算光学模型模拟的特征内核的方法。在方法中，识别在数学上描述光学成像系统的多种特性的特征矩阵。产生包括至少一个向量的取样矩阵，至少一个向量充当形成特征矩阵的低秩基底的输入。将取样矩阵迭代地乘以特征矩阵，并且根据数值稳定性自适应地重新按比例调整相乘结果直到满足收敛条件。使用迭代结果来形成简化特征矩阵。计算简化特征矩阵的分解值，并且从计算出的分解值中提取多个特征内核。

公开(公告)号：CN110929366B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201910773551.4

申请日：2019-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何力键

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/16 ,  G06F17/14 ,  G03F1/68 ,  G03F1/36

Abstract: 本发明提供一种用于计算光学模型模拟的特征内核的方法。在方法中，识别在数学上描述光学成像系统的多种特性的特征矩阵。产生包括至少一个向量的取样矩阵，至少一个向量充当形成特征矩阵的低秩基底的输入。将取样矩阵迭代地乘以特征矩阵，并且根据数值稳定性自适应地重新按比例调整相乘结果直到满足收敛条件。使用迭代结果来形成简化特征矩阵。计算简化特征矩阵的分解值，并且从计算出的分解值中提取多个特征内核。

公开(公告)号：CN115032858A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210081100.6

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何力键

IPC: G03F1/36

Abstract: 本发明实施例涉及光刻感知源取样及重新取样。一种方法包括根据照明源确定光刻系统的光学系统的第一透射交叉系数运算子。所述方法包括通过第一数量的取样点对照明源进行取样以产生第一离散源，并根据第一离散源确定第二透射交叉系数运算子。所述方法进一步包括确定第一透射交叉系数运算子与第二透射交叉系数运算子之间的误差。所述方法包括递回地调节第一数量的取样点以重新取样照明源并重新确定第二透射交叉系数运算子，直到误差低于阈值水平，并且确定最终离散源和最终第二透射交叉系数运算子。

公开(公告)号：CN109788646A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810195079.6

申请日：2018-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭丹平 ,  屈帅哥 ,  徐方博 ,  裴大牛 ,  何力键 ,  雷俊江

IPC: H05K3/00

Abstract: 本文中公开用于大面积光刻仿真的同步化平行图块计算技术的实例来解决图块边界问题。一种用于集成电路(IC)制作的示例性方法包括：接收IC设计布局；将所述IC设计布局分割成多个图块；对所述多个图块实行仿真成像过程；通过对来自所述多个图块的最终同步化图像值进行组合，来产生经修改IC设计布局；以及提供所述经修改IC设计布局来用于制作掩模。实行所述仿真成像过程包括对所述多个图块中的每一者执行多个成像步骤。执行所述多个成像步骤中的每一者包括通过相邻图块之间的数据交换，对来自所述多个图块的图像值进行同步。