公开(公告)号：CN105789049B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410808179.3

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伍海涛 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  刘如淦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了用于图案化鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍的方法。一种示例性方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个细长突出物，细长突出物在第一方向上延伸，以及形成覆盖细长突出物的第一部分的掩模，该掩模由具有第一蚀刻速率的第一材料形成。该方法也包括：形成围绕掩模的间隔件，间隔件由蚀刻速率低于第一材料的蚀刻速率的第二材料形成，掩模和间隔件一起覆盖细长突出物的第二部分，细长突出物的第二部分大于细长突出物的第一部分。而且，该方法包括去除多个细长突出物的未由掩模和间隔件覆盖的剩余部分。

公开(公告)号：CN112309963B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202010748783.7

申请日：2020-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘如淦 ,  张世明 ,  伍海涛

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开涉及用于形成自对准互连结构的方法。本公开提供了一种用于形成互连结构的方法。该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底的顶部部分中的导电特征；在所述衬底之上沉积抗蚀剂层，其中，所述抗蚀剂层具有曝光阈值；向所述抗蚀剂层提供具有入射曝光剂量的辐射，其中，所述入射曝光剂量被配置为小于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，而反射曝光剂量和来自所述导电特征的顶表面的入射曝光剂量之和大于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，从而在所述导电特征之上形成潜在抗蚀剂图案；以及显影所述抗蚀剂层以形成图案化抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN112309963A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010748783.7

申请日：2020-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘如淦 ,  张世明 ,  伍海涛

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开涉及用于形成自对准互连结构的方法。本公开提供了一种用于形成互连结构的方法。该方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底的顶部部分中的导电特征；在所述衬底之上沉积抗蚀剂层，其中，所述抗蚀剂层具有曝光阈值；向所述抗蚀剂层提供具有入射曝光剂量的辐射，其中，所述入射曝光剂量被配置为小于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，而反射曝光剂量和来自所述导电特征的顶表面的入射曝光剂量之和大于所述抗蚀剂层的所述曝光阈值，从而在所述导电特征之上形成潜在抗蚀剂图案；以及显影所述抗蚀剂层以形成图案化抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN105789049A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410808179.3

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伍海涛 ,  吕奎亮 ,  谢铭峰 ,  刘如淦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了用于图案化鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的鳍的方法。一种示例性方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成多个细长突出物，细长突出物在第一方向上延伸，以及形成覆盖细长突出物的第一部分的掩模，该掩模由具有第一蚀刻速率的第一材料形成。该方法也包括：形成围绕掩模的间隔件，间隔件由蚀刻速率低于第一材料的蚀刻速率的第二材料形成，掩模和间隔件一起覆盖细长突出物的第二部分，细长突出物的第二部分大于细长突出物的第一部分。而且，该方法包括去除多个细长突出物的未由掩模和间隔件覆盖的剩余部分。

公开(公告)号：CN103383521A

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201310003792.3

申请日：2013-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  伍海涛 ,  谢艮轩 ,  周硕彦

IPC: G03F1/28

CPC classification number: G03F1/28

Abstract: 本公开提供一种光掩模。该光掩模包括衬底。该光掩模还包括多个设置在衬底上的图案。每个图案均在不同的方向上以不同的量从相邻图案处进行相移。本公开还包括了一种执行光刻工艺的方法。该方法包括在晶圆上方形成可图案化层。该方法还包括对该可图案化层执行曝光工艺。至少部分地通过相移的光掩模来执行该曝光工艺。相移的光掩模包括多个图案，这些图案中的每个均在不同方向上以不同的量从相邻图案处进行相移。该方法包括图案化该可图案化层。本发明还提供了一种各向异性相移掩模。

公开(公告)号：CN115308988A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210587605.X

申请日：2022-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 山添贤治 ,  吴秉杰 ,  伍海涛 ,  何力键

IPC: G03F1/76 ,  G03F1/36 ,  G03F1/56

Abstract: 本申请公开了制造半导体器件的方法和制造半导体器件的图案形成方法。在用于半导体器件制造的图案形成方法中，获得用于制造光掩模的原始图案；通过对原始图案执行光学邻近校正来获得经修改的原始图案；获得相对于经修改的原始图案的亚分辨率辅助特征(SRAF)种子图，该SRAF种子图指示图像质量通过SRAF图案被改进的位置；在原始图案周围放置SRAF图案；输出SRAF图案和经修改的原始图案作为掩模数据；以及使用掩模数据来制造光掩模。