公开(公告)号：CN114883299A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210087692.2

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何柏宽 ,  吴佳典 ,  朱韦臻 ,  陈欣苹

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 提供一种集成芯片。集成芯片包含基板。第一金属线包含第一金属材料，第一金属材料设置于第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层位于基板的上方。混合金属线设置于第一层间介电层内。混合金属线包含一对第一金属区段及第二金属区段，第一金属区段包含第一金属材料，一第二金属区段包含第二金属材料并侧向设置于此对第一金属区段之间。第二金属材料与第一金属材料不同。

公开(公告)号：CN112750806A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011183266.6

申请日：2020-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何柏宽 ,  陈欣苹 ,  吴佳典

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种半导体装置，其包括第一导电结构、第一介电结构、第二导电结构、蚀刻停止层、第一间隔物结构及第二介电结构。第一介电结构位在第一导电结构的第一表面和第二导电结构的表面之间。蚀刻停止层覆盖第一导电结构。第一间隔物结构覆盖第一介电结构。第二介电结构覆盖第一间隔物结构和蚀刻停止层。