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公开(公告)号:CN102237869B
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201110021189.9
申请日:2011-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/01855 , H03K3/012 , H03K3/356008 , H03K3/35625 , H03K19/0016 , H03K19/0963
Abstract: 本发明提供一种集成电路,用以消除负偏温度不稳定性,包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管;一控制电路,用以在一待命模式下,停止导通操作型PMOS晶体管;一第一PMOS晶体管;以及一输出节点;其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点,并且在待命模式下,第一PMOS晶体管用以使输出节点的逻辑电平为逻辑1。本发明能够消除负偏温度不稳定性,减少对逻辑门驱动器的损害。
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公开(公告)号:CN102237869A
公开(公告)日:2011-11-09
申请号:CN201110021189.9
申请日:2011-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H03K19/01855 , H03K3/012 , H03K3/356008 , H03K3/35625 , H03K19/0016 , H03K19/0963
Abstract: 本发明提供一种集成电路,用以消除负偏温度不稳定性,包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管;一控制电路,用以在一待命模式下,停止导通操作型PMOS晶体管;一第一PMOS晶体管;以及一输出节点;其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点,并且在待命模式下,第一PMOS晶体管用以使输出节点的逻辑电平为逻辑1。本发明能够消除负偏温度不稳定性,减少对逻辑门驱动器的损害。
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