公开(公告)号：CN112151676B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010955885.6

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周淳朴 ,  柯志欣 ,  邱博文 ,  郑兆钦 ,  吕俊颉 ,  黄崎峰 ,  陈焕能 ,  薛福隆

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。

公开(公告)号：CN104733427B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410100617.0

申请日：2014-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘懿萱 ,  谢协宏 ,  周淳朴 ,  薛福隆

IPC: H01L23/522 ,  H03L7/099 ,  H03L7/18

CPC classification number: H01F27/42 ,  H01F21/12 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/40 ,  H01F29/02 ,  H01F2021/125 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0688 ,  H03B5/1212 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1256 ,  H03B2201/0216 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器，螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括：衬底上方的接地环，接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分；以及衬底上方的浮置环，浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列，该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。

公开(公告)号：CN102237869B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201110021189.9

申请日：2011-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  薛福隆 ,  黄明杰 ,  布兰恩·谢菲尔德 ,  林志昌

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H03K19/01855 ,  H03K3/012 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/35625 ,  H03K19/0016 ,  H03K19/0963

Abstract: 本发明提供一种集成电路，用以消除负偏温度不稳定性，包括一逻辑门驱动器的一操作型PMOS晶体管；一控制电路，用以在一待命模式下，停止导通操作型PMOS晶体管；一第一PMOS晶体管；以及一输出节点；其中操作型PMOS晶体管耦接至输出节点，并且在待命模式下，第一PMOS晶体管用以使输出节点的逻辑电平为逻辑1。本发明能够消除负偏温度不稳定性，减少对逻辑门驱动器的损害。

公开(公告)号：CN104917369A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410310873.2

申请日：2014-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建宏 ,  黄琮靖 ,  林志昌 ,  黃明杰 ,  薛福隆

IPC: H02M3/10 ,  H02M3/156

CPC classification number: H02M3/158 ,  G05F1/575 ,  G05F3/262 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明提供了一种电压源单元，包括稳压单元、分压器和第一电流镜。稳压单元被配置为接收第一电压信号和第二电压信号，并且被配置为生成第三电压信号。分压器连接在第一电流镜和稳压单元之间，并且控制第二电压信号。第一电流镜连接至稳压单元、输入电压源和分压器。第一电流镜被配置为生成第一电流信号和第二电流信号，第二电流信号是第一电流信号的镜像，通过第三电压信号控制第一电流信号，而第二电流信号控制输出电压源信号。本发明还提供了电压源单元的操作方法。

公开(公告)号：CN104733427A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410100617.0

申请日：2014-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘懿萱 ,  谢协宏 ,  周淳朴 ,  薛福隆

IPC: H01L23/522 ,  H03L7/099 ,  H03L7/18

CPC classification number: H01F27/42 ,  H01F21/12 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/40 ,  H01F29/02 ,  H01F2021/125 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/528 ,  H01L23/585 ,  H01L27/0688 ,  H03B5/1212 ,  H03B5/1228 ,  H03B5/1256 ,  H03B2201/0216 ,  H03L7/099

Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器，螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括：衬底上方的接地环，接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分；以及衬底上方的浮置环，浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列，该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。

公开(公告)号：CN102339345B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110165758.7

申请日：2011-06-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周淳朴 ,  林明村 ,  薛福隆 ,  庄少特

IPC: G06F17/50 ,  H01L25/00

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F17/505 ,  G06F2217/78

Abstract: 一种布局系统，包括：布局单元，设置为基于特定工艺节点的库单元，将单元布置在半导体芯片的掩模设计中；非关键路径确定单元，设置为确定半导体芯片中的非关键路径；单元确定单元，设置为确定所述掩模设计中的一组单元，用于形成非关键路径的一部分并确定该组单元中的至少一个的对应的库单元；库单元修改单元，设置为修改一个或者多个对应的库单元，以形成对应的经修改的库单元；以及单元替换单元，设置为替换掩模设计中的一组单元中的库单元，用于形成带有对应的经修改的库单元的非关键路径的一部分。

公开(公告)号：CN103839951A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310060236.X

申请日：2013-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘智民 ,  涂宏益 ,  赵亦平 ,  薛福隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H04N5/378 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种双面照明(DSI)图像传感器芯片及其形成方法，其中该芯片包括：第一图像传感器芯片，被配置成感测来自第一方向的光；以及第二图像传感器芯片，与第一图像传感器芯片对齐并与其接合。第二图像传感器芯片被配置成感测来自与所述第一方向相反的第二方向的光。

公开(公告)号：CN102194815A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010293536.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛福隆 ,  赵治平 ,  周淳朴 ,  彭永州 ,  庄学理 ,  宋国栋

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5068 ,  G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922

Abstract: 本发明揭露一种金属氧化物半导体组件及其制作方法，该金属氧化物半导体(MOS)组件包含具有第一与第二接触的有源区。第一与第二栅极位于第一与第二接触之间。第一栅极邻设于第一接触，且具有第三接触。第二栅极邻设于第二接触，且具有与第三接触耦合的第四接触。为有源区与第一栅极所定义出的晶体管具有第一临界电压，而为有源区与第二栅极所定义出的晶体管具有第二临界电压。

公开(公告)号：CN101930997A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910221561.3

申请日：2009-11-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄建祥 ,  薛福隆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7317 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0804

Abstract: 薄体双极器件包括：半导体衬底、构造在半导体衬底之上的半导体鳍片、半导体鳍片的具有第一导电类型的第一区域、用作薄体双极器件的基极的第一区域、以及半导体鳍片的具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二和第三区域，第二和第三区域与第一区域并置并被第一区域分离，第二和第三区域分别用作薄体双极器件的发射极和集电极。

公开(公告)号：CN101308704B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710170354.0

申请日：2007-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄建祥 ,  薛福隆 ,  许夫杰

IPC: G11C17/16

CPC classification number: G11C17/18

Abstract: 本发明涉及一种电熔丝电路，包含至少一个电熔丝元件，具有在一电迁移模式中被施以应力后改变的一电阻位准；一切换装置，串联地耦合一预定路径中的该电熔丝元件，该预定路径位于一熔丝程序化电源(VDDQ)与一低电压电源(GND)之间，以在一程序化操作期间内选择性地允许一程序化电流通过该电熔丝元件；以及至少一个外围电路耦合至该VDDQ，其中该外围电路为主动性，且在一熔丝程序化操作期间内吸引来自该VDDQ的电流。