公开(公告)号：CN117250822A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310599393.1

申请日：2023-05-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的第一多层、设置在第一多层上的第二吸收体层、以及设置在第二吸收体层之上的第二多层，该第二多层为反射掩模的最上层。

公开(公告)号：CN113126423B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202011588186.9

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  薛文章

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。

公开(公告)号：CN113126423A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011588186.9

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  薛文章

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。

公开(公告)号：CN109782531A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811313603.1

申请日：2018-11-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  李环陵 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/58

Abstract: 提供光掩模及其制造方法。光掩模包含掩模基底、反射式多层膜、盖层以及吸收复合结构。掩模基底具有前侧表面和后侧表面。反射式多层膜设置于掩模基底的前侧表面之上。盖层设置于反射式多层膜之上。吸收复合结构设置于盖层之上。吸收复合结构包含第一吸收层、第二吸收层、第三吸收层及蚀刻停止层。第一吸收层设置于盖层之上。第二吸收层设置于第一吸收层之上。第三吸收层设置于第二吸收层之上。蚀刻停止层设置于第一吸收层和第二吸收层之间。第一吸收层和第二吸收层是由相同材料所形成。

公开(公告)号：CN113589640A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202010969692.6

申请日：2020-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  李信昌 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 一种极紫外线微影遮罩和其制造方法，制造极紫外线微影遮罩的方法包括形成多层反射层、在多层反射层上形成缓冲层，以及在多层反射层上形成吸收层。在图案化吸收层之前，移除吸收层的外部部分。接着沉积光阻层在吸收层的顶表面上及吸收层的侧壁上。接着图案化光阻层，且在图案化光阻层的存在下，以电浆蚀刻制程蚀刻吸收层。在电浆蚀刻制程期间，在吸收层侧壁上的光阻层有助于改良蚀刻吸收层的均匀性。

公开(公告)号：CN110647006A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910389687.5

申请日：2019-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/36

Abstract: 本公开提供掩模制造方法。在一些实施例中，用于形成集成电路装置的布局被接收。布局包括印刷特征组。布局的区域被识别。区域与印刷特征组相距一距离，使得与区域中的特征相关联的曝光区不影响与打印特征组相关联的曝光区组。多个非打印特征被插入到区域。基于布局制造掩模。

公开(公告)号：CN105097455B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510249444.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  陈嘉仁 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/28

Abstract: 本发明提供了一种光掩模及其制造方法。在多个实施例中，光掩模包括衬底、图案化的第一衰减层、图案化的第二衰减层和图案化的第三衰减层。图案化的第一衰减层设置在衬底上。图案化的第二衰减层设置在图案化的第一衰减层上。图案化的第三衰减层设置在图案化的第二衰减层上。图案化的第一衰减层的第一部分、图案化的第二衰减层的第一部分和图案化的第三衰减层堆叠在衬底上以作为二元强度掩模。

公开(公告)号：CN105097455A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510249444.3

申请日：2015-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  陈嘉仁 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: H01L21/033

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/28 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供了一种光掩模及其制造方法。在多个实施例中，光掩模包括衬底、图案化的第一衰减层、图案化的第二衰减层和图案化的第三衰减层。图案化的第一衰减层设置在衬底上。图案化的第二衰减层设置在图案化的第一衰减层上。图案化的第三衰减层设置在图案化的第二衰减层上。图案化的第一衰减层的第一部分、图案化的第二衰减层的第一部分和图案化的第三衰减层堆叠在衬底上以作为二元强度掩模。