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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110967934A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910325048.2
申请日：2019-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。
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公开(公告)号：CN109782528B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811334345.5
申请日：2018-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。
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公开(公告)号：CN109782528A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811334345.5
申请日：2018-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标轮廓不同的第二目标轮廓。执行布局的光刻模拟以在第一组工艺条件下产生第一模拟轮廓，并且在第二组工艺条件下产生第二模拟轮廓。基于第一模拟轮廓和第一目标轮廓之间以及第二模拟轮廓和第二目标轮廓之间的边缘放置误差确定对布局的修改。本发明的实施例还涉及光学邻近修正和光掩模。
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公开(公告)号：CN110967934B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910325048.2
申请日：2019-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种执行光刻工艺的方法包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距布置的第一组线、以第一间距布置的第二组线，并且还包括在第一组线和第二组线之间的至少一条参考线。用辐射源曝光测试图案，以在衬底上形成测试图案结构，辐射源提供不对称的单极照射轮廓。然后测量测试图案结构，并且将测量的距离与光刻参数的偏移相关联。基于光刻参数的偏移来调整光刻工艺。本发明的实施例还涉及光刻工艺监测方法。
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公开(公告)号：CN109325247A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201711092272.9
申请日：2017-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本公开提供一种集成电路制造方法，包括接收一集成电路的一第一目标图案，第一目标图案包括两个第一目标特征及两个第二目标特征。基于第一目标图案及一定向自组装工艺，导出一第二目标图案，其中第一目标图案将通过一工艺所产生，上述工艺包括执行定向自组装工艺，定向自组装工艺使用从第二目标图案所导出的一引导图案。第二目标图案包括一第三特征及一第四特征。第三特征被设计以使用定向自组装工艺产生两个第一目标特征，并且第四特征被设计以使用定向自组装工艺产生两个第二目标特征。插入一或多个次定向自组装解析辅助特征到第二目标图案，一或多个次定向自组装解析辅助特征连接第三特征及第四特征。
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