公开(公告)号：CN119767709A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411538698.2

申请日：2024-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 冯家馨 ,  尚慧玲 ,  杨学人 ,  李威养

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/10

Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，上述方法包括形成第一栅极于第一鳍部上及形成第一间隙壁层于第一栅极的侧壁上，以及形成第二栅极于第二鳍部上及形成第二间隙壁层于第二栅极的侧壁上。将第一鳍部内第二组成的外延层取代为设置于第一栅极下方的一次性中介层以及位于一次性中介层的两相对端的第一内部间隔层。回蚀刻第二鳍部内第二组成的外延层的两相对横向端部，以形成凹槽于第二间隙壁层下方及相邻的第一组成的外延层之间。形成第二内部间隔层于第二鳍部片内位于第二组成的外延层的两相对横向端部上的每个凹槽内。

公开(公告)号：CN103066124A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210110303.X

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕伟元 ,  黄立平 ,  蔡瀚霆 ,  王维敬 ,  李明轩 ,  杨学人 ,  陈冠仲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了具有多个错位结构的半导体器件及其制造方法。示例性半导体器件包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；以及第一栅极隔离件，设置在栅极结构的侧壁上并覆盖衬底的顶面。半导体器件还包括结晶半导体材料，其覆盖半导体衬底的表面并与第一栅极隔离件的侧壁相邻。半导体器件还包括第二栅极隔离件，其设置在第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖结晶半导体材料。半导体器件还包括：第一应力器件区域，设置在半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在半导体衬底和结晶半导体材料中。

公开(公告)号：CN103066124B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210110303.X

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕伟元 ,  黄立平 ,  蔡瀚霆 ,  王维敬 ,  李明轩 ,  杨学人 ,  陈冠仲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了具有多个错位结构的半导体器件及其制造方法。示例性半导体器件包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；以及第一栅极隔离件，设置在栅极结构的侧壁上并覆盖衬底的顶面。半导体器件还包括结晶半导体材料，其覆盖半导体衬底的表面并与第一栅极隔离件的侧壁相邻。半导体器件还包括第二栅极隔离件，其设置在第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖结晶半导体材料。半导体器件还包括：第一应力器件区域，设置在半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在半导体衬底和结晶半导体材料中。