公开(公告)号：CN102456740A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110317907.7

申请日：2011-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  黄立平 ,  吕伟元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 在p型场效应晶体管中，在基板的顶面的上方形成成对隔离件。沟道凹进腔包括在成对隔离件之间的基板顶面上中的凹部。栅叠层具有位于沟道凹进腔中的底部和在沟道凹进腔的外部延伸的顶部。源极/漏极(S/D)凹进腔具有在基板顶面以下的底表面和侧壁。(S/D)凹进腔具有在栅叠层以下延伸的部分。应力材料填充S/D凹进腔。

公开(公告)号：CN102104041A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010228345.4

申请日：2010-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立平 ,  黄志翔 ,  冯家馨 ,  吴忠政 ,  王海艇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种具有用以隔离装置的虚设结构的集成电路。此集成电路包含具有第一晶体管的第一运算元件、具有第二晶体管的第二运算元件、以及设置于第一晶体管与第二晶体管间的隔离晶体管，其中第一晶体管由第一成分所组成，第二晶体管由第一成分所组成，隔离晶体管由与第一成分不同的第二成分所组成。

公开(公告)号：CN102832246B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110424063.6

申请日：2011-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  黄立平 ,  冯家馨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了一种集成电路(半导体)器件和用于制造集成电路器件的方法。所公开的器件包括：栅极结构，位于衬底上方并且限定衬底中的沟道区域；外延部件，具有在衬底中的第一掺杂剂；以及外延源极/漏极部件，具有在衬底中的第二掺杂剂。外延源极/漏极部件与外延部件相比较距离沟道区域更远。第二掺杂剂具有与第一掺杂剂相反的导电载流子类型。

公开(公告)号：CN102456740B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110317907.7

申请日：2011-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  冯家馨 ,  黄立平 ,  吕伟元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 在P型场效应晶体管中，在基板的顶面的上方形成成对隔离件。沟道凹进腔包括在成对隔离件之间的基板顶面上中的凹部。栅叠层具有位于沟道凹进腔中的底部和在沟道凹进腔的外部延伸的顶部。源极/漏极(S/D)凹进腔具有在基板顶面以下的底表面和侧壁。(S/D)凹进腔具有在栅叠层以下延伸的部分。应力材料填充S/D凹进腔。

公开(公告)号：CN102104041B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201010228345.4

申请日：2010-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立平 ,  黄志翔 ,  冯家馨 ,  吴忠政 ,  王海艇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/43 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种具有用以隔离装置的虚设结构的集成电路。此集成电路包含具有第一晶体管的第一运算元件、具有第二晶体管的第二运算元件、以及设置于第一晶体管与第二晶体管间的隔离晶体管，其中第一晶体管由第一成分所组成，第二晶体管由第一成分所组成，隔离晶体管由与第一成分不同的第二成分所组成。

公开(公告)号：CN101281925A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200810082115.4

申请日：2008-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林大文 ,  林盈秀 ,  王世维 ,  黄立平 ,  梁英强 ,  卡罗斯

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/42312 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明提供一种栅控二极管的半导体装置或其它相似的电子构件及其制作方法。上述半导体装置包含栅极结构，其设置于衬底上，且位于形成在衬底之中的沟道上方，并且此栅极结构还邻接源极区域及漏极区域。上述源极区域或漏极区域的顶部，或者是两区域的顶部，可以是整个或部分地位于比上述栅极结构的底部更高的高度。形成上述结构的方式，可借助覆盖沉积层于栅极结构及衬底的上方，且接着再以蚀刻工艺制作倾斜分布的方式完成。若上述源极区域及漏极区域同时具有上述结构，源极区域及漏极区域的结构也可以是对称或非对称性的分布。上述结构可以明显地降低掺杂物的侵入，据此，上述结构也可降低结漏电流。

公开(公告)号：CN103066124B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210110303.X

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕伟元 ,  黄立平 ,  蔡瀚霆 ,  王维敬 ,  李明轩 ,  杨学人 ,  陈冠仲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了具有多个错位结构的半导体器件及其制造方法。示例性半导体器件包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；以及第一栅极隔离件，设置在栅极结构的侧壁上并覆盖衬底的顶面。半导体器件还包括结晶半导体材料，其覆盖半导体衬底的表面并与第一栅极隔离件的侧壁相邻。半导体器件还包括第二栅极隔离件，其设置在第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖结晶半导体材料。半导体器件还包括：第一应力器件区域，设置在半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在半导体衬底和结晶半导体材料中。

公开(公告)号：CN100552974C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200710110251.5

申请日：2007-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 顾克强 ,  聂俊峰 ,  黄立平 ,  王志强 ,  陈建豪 ,  张绚 ,  王立廷 ,  李资良 ,  陈世昌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明的半导体元件具有半导体衬底；栅极堆叠，位于半导体衬底上；n型轻掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中n型轻掺杂源/漏极区包括n型杂质；n型重掺杂源/漏极区，位于半导体衬底中且邻接栅极堆叠，其中该n型重掺杂源/漏极区包括n型杂质；预先非晶态注入区，位于半导体衬底中，其中预先非晶态注入区包括后注入区；以及间隙阻挡区，位于半导体衬底中，其中间隙阻挡区的深度大于n型轻掺杂源/漏极区的深度，但小于后注入区的深度。由于本发明的间隙阻挡区位于后注入区与轻掺杂源/漏极区之间，可降低轻掺杂源/漏极区中磷扩散的问题。此外，因为磷具有高活化率，因此MOS元件具有低片电阻。

公开(公告)号：CN103066124A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210110303.X

申请日：2012-04-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕伟元 ,  黄立平 ,  蔡瀚霆 ,  王维敬 ,  李明轩 ,  杨学人 ,  陈冠仲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/324 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7847 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78654

Abstract: 公开了具有多个错位结构的半导体器件及其制造方法。示例性半导体器件包括：栅极结构，覆盖半导体衬底的顶面；以及第一栅极隔离件，设置在栅极结构的侧壁上并覆盖衬底的顶面。半导体器件还包括结晶半导体材料，其覆盖半导体衬底的表面并与第一栅极隔离件的侧壁相邻。半导体器件还包括第二栅极隔离件，其设置在第一栅极隔离件的侧壁上并覆盖结晶半导体材料。半导体器件还包括：第一应力器件区域，设置在半导体衬底中；以及第二应力器件区域，设置在半导体衬底和结晶半导体材料中。

公开(公告)号：CN102832246A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110424063.6

申请日：2011-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑振辉 ,  黄立平 ,  冯家馨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了一种集成电路(半导体)器件和用于制造集成电路器件的方法。所公开的器件包括：栅极结构，位于衬底上方并且限定衬底中的沟道区域；外延部件，具有在衬底中的第一掺杂剂；以及外延源极/漏极部件，具有在衬底中的第二掺杂剂。外延源极/漏极部件与外延部件相比较距离沟道区域更远。第二掺杂剂具有与第一掺杂剂相反的导电载流子类型。