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公开(公告)号：CN113050369B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110047011.5
申请日：2021-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/56 , G03F1/76 , G03F7/30 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成光致抗蚀剂层，包括：在蒸汽状态下将第一前体和第二前体组合以形成光致抗蚀剂材料，以及在衬底之上沉积光致抗蚀剂材料。在光致抗蚀剂层之上形成保护层。通过保护层将光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射，以在光致抗蚀剂层中形成潜在图案。去除保护层，以及通过将显影剂施加到经选择性地暴露的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。
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公开(公告)号：CN114334620A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110659598.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本申请涉及用于含金属的抗蚀剂层的原位沉积和致密化处理。本文公开了可以改进光刻分辨率的含金属的抗蚀剂层(例如，金属氧化物抗蚀剂层)、用于形成含金属的抗蚀剂层的方法以及使用含金属的抗蚀剂层的光刻方法。示例性方法包括：通过执行沉积工艺在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层，以在工件之上形成金属氧化物抗蚀剂层的金属氧化物抗蚀剂子层；以及对至少一个金属氧化物抗蚀剂子层执行致密化工艺。每个沉积工艺形成金属氧化物抗蚀剂子层中的相应一个。致密化工艺使至少一个金属氧化物抗蚀剂子层的密度增加。可以调整沉积工艺的参数和/或致密化工艺的参数，以实现不同的密度分布、不同的密度特性、和/或不同的吸收特性，从而优化对金属氧化物抗蚀剂层的图案化。
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公开(公告)号：CN113946096A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110629605.7
申请日：2021-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 本申请涉及用于半导体制造的光致抗蚀剂。提供了用于极紫外(EUV)光刻的有机金属前体。所述有机金属前体包括MaXbLc的化学式，其中M是金属，X是包括吡咯样氮和吡啶样氮的多齿芳族配体，L是极紫外(EUV)可裂解的配体，a在1和2之间，b等于或大于1，c等于或大于1。
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公开(公告)号：CN106466805B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201510776938.7
申请日：2015-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/20 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种局部轮廓控制的化学机械抛光(CMP)平台。工作台被配置为支撑具有将被抛光的表面的工件。抛光垫与工作台隔开的宽度小于约工作台的宽度的一半。抛光垫被配置为分别抛光将被抛光的表面上的凸部或凹部的粗糙区域。抛光液分配系统被配置为向抛光垫和工件之间的界面施加抛光液。清洁系统被配置为在工作台上原位清洁工件。干燥系统被配置为在工作台上原位干燥工件。还提供了用于具有局部轮廓控制的CMP的方法和具有局部轮廓控制的系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108548892A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810163704.9
申请日：2013-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明提供了一种识别车间中的气态分子污染(AMC)泄露源的方法。该方法包括在车间中分布传感器，进行车间中的正向气流的计算流体动力学(CFD)仿真，设定车间中的正向气流的CFD仿真的反演模型，利用车间中的AMC测量数据建立传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库，以及利用传感器的空间响应概率分布矩阵的数据库识别AMC泄露源。
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公开(公告)号：CN104051298B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410087925.4
申请日：2014-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种用于在制造半导体器件中处理晶圆的方法和系统，其中，化学反应需要设置化学品和晶圆加热。将晶圆放置在晶圆加热器之上，从而使第二表面面对晶圆加热器，并且从第二表面加热晶圆。化学层形成在相对的第一表面上。设置晶圆加热器的尺寸并且将晶圆加热器配置为能够加热整个第二表面，并且如果需要，晶圆加热器适合于产生局部不同的温度分布。在加热期间，可以监测晶圆上的实际温度分布且将实际温度分布传输至计算系统，计算系统可以产生目标温度分布并且根据目标温度分布控制晶圆加热器以调整晶圆上的局部温度。用于加热化学品的辅助加热器可以用于更精细地控制晶圆温度。
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公开(公告)号：CN103377890B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210309438.9
申请日：2012-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/268 , H01L23/544 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/268 , H01L21/67282 , H01L21/683 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种定向半导体晶圆的方法。该方法包括：关于中心轴旋转晶圆；使旋转晶圆的多个边缘部分暴露在来自一个或多个光源的具有预定波长的光下；在旋转晶圆的多个边缘部分中的至少一部分中检测表面下标记；以及使用所检测到的表面下标记作为参考定向晶圆。本发明还提供了用于制造半导体晶圆的方法。
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公开(公告)号：CN102974563B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210027831.9
申请日：2012-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B08B3/12 , B08B3/02 , H01L21/67028 , H01L21/6704
Abstract: 用于可移动兆声晶圆喷头的方法和装置。公开了一种方法，包括将可移动喷头置于晶圆表面上方，可移动喷头具有暴露晶圆表面的一部分的开放底部；通过可移动喷头的底部将液体施加在晶圆表面上方；以及以预定的扫描速度移动可移动喷头，从而穿过晶圆表面，在晶圆表面上方移动的同时，将液体施加给晶圆表面。在其他实施例中，方法包括：提供用于将兆声能量施加给晶圆表面的换能器。公开了包括可移动兆声晶圆喷头的装置实施例。
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公开(公告)号：CN102851647B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210320845.X
申请日：2010-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/56 , C23C16/48 , C23C16/44 , H01L21/768
CPC classification number: H01L29/78 , C23C14/022 , C23C14/046 , C23C14/18 , C23C14/221 , C23C16/0263 , C23C16/045 , C23C16/06 , C23C16/48 , C23C16/484 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76877 , H01L29/4966 , H01L29/66545
Abstract: 本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。
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