公开(公告)号：CN1314115C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200410046288.2

申请日：2002-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈欣恺 ,  刘原龙 ,  张文 ,  林志丰

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离d，平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路电性连接；第三金属线层与第四金属线层位于第一与第二金属线层上方，分别与第一与第二插塞连接，其中第三金属线层的相邻于该第四金属线层的一边相距下方该第二金属线层的相邻于该第一金属线层的一边大于1/2d的距离，第三与四金属线层间保持以距离d彼此平行。

公开(公告)号：CN1571152A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410046288.2

申请日：2002-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈欣恺 ,  刘原龙 ,  张文 ,  林志丰

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离d，平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；第三金属线层与第四金属线层位于第一与第二金属线层上方，与第一与第二插塞连接以形成金属双镶嵌结构，其中，第三金属线层相邻于该第四金属线层的一边，大于下方该第一与第二金属线层间1/2d的位置，而第三与四金属线层间仍保持以距离d彼此平行。

公开(公告)号：CN1176488C

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02107425.9

申请日：2002-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈欣恺 ,  刘原龙 ,  张文 ,  林志丰

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离d，平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；第三金属线层与第四金属线层位于第一与第二金属线层上方，与第一与第二插塞连接以形成金属双镶嵌结构，其中，第三金属线层相邻于该第四金属线层的一边，大于下方该第一与第二金属线层间1/2d的位置，而第三与四金属线层间仍保持以距离d彼此平行。

公开(公告)号：CN1445832A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02107425.9

申请日：2002-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈欣恺 ,  刘原龙 ,  张文 ,  林志丰

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种多重金属层内连线结构，设置于一具有电路的半导体基底上，该结构包括：一介电层，沉积于该半导体基底之上；第一金属线层与第二金属线层，分别镶嵌于介电层中，其中第一金属线层以一距离d，大体平行于第二金属线层；多个第一插塞，设置于介电层中，与该第一金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；多个第二插塞，设置于该介电层中与该第二金属线层连接，与该半导体基底的电路构成电性连接；第三金属线层与第四金属线层位于第一与第二金属线层上方，与第一与第二插塞连接以形成金属双镶嵌结构，其中，第三金属线层相邻于该第四金属线层的一边，大于下方该第一与第二金属线层间1/2d的位置，而第三与第四金属线层间仍保持以距离d彼此平行。