公开(公告)号：CN115994512A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202210625559.8

申请日：2022-06-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林璟伊 ,  张丰愿 ,  陈柏羽 ,  黄博祥 ,  张志伟 ,  李志纯

IPC: G06F30/398 ,  H01L27/02 ,  G01N25/20 ,  G06F115/02

Abstract: 一种方法包括：接收集成电路的布局；基于布局识别至少一个第一网络和至少一个第二网络，其中第一网络沿垂直方向延伸穿过集成电路，并且第二网络沿垂直方向终止于集成电路的中间部分；将集成电路划分为多个网格单元，其中第一网络由多个网格单元的第一子集构成，第二网络由多个网格单元的第二子集构成；估计每个第一网格单元子集的第一热导率；估计每个第二网格单元子集的第二热导率；结合第一热导率和第二热导率，估计集成电路的等效热导率。

公开(公告)号：CN115020357A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210110709.1

申请日：2022-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林璟伊 ,  陈又豪 ,  张丰愿 ,  黄博祥 ,  李志纯 ,  陈硕懋

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在散热块正上方；以及将器件管芯和金属杆密封在密封剂中。然后将封装件从载体剥离。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN116259588A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310027796.9

申请日：2023-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张丰愿 ,  林璟伊 ,  黄博祥 ,  余和哲 ,  李志纯

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体器件。半导体器件包括第一衬底。半导体器件包括形成在第一衬底上方的多个金属化层。半导体器件包括形成在多个金属化层上方的多个通孔结构。半导体器件包括通过多个通孔结构附接至第一衬底的第二衬底。半导体器件包括设置在多个金属化层的第一金属化层中的第一导线。沿着第一横向方向延伸的第一导线连接至多个通孔结构中的至少第一通孔结构和多个通孔结构中的至少第二通孔结构，第一通孔结构与第二衬底的第一贯通孔结构电接触，第二通孔结构从第一贯通孔结构横向偏移。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体封装件和制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115440693A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210273000.3

申请日：2022-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈又豪 ,  张丰愿 ,  黄博祥 ,  林璟伊 ,  李志纯

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31

Abstract: 一种形成半导体装置的方法和半导体封装，形成半导体装置的方法包括：在载体上方形成第一互连件结构；在载体上方形成散热块；在第一互连件结构上方形成多个金属柱；在第一互连件结构和散热块上方形成第一集成电路晶粒；移除载体；使用第一电性连接器和散热连接器将半导体封装附接到第一互连件结构和散热块；以及形成多个外部电性连接器，这些外部电性连接器配置为将每个外部电性连接传输到半导体装置中，散热块与每个外部电性连接电性隔离。