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发明公开
半导体装置以及其形成的方法审中-实审

公开(公告)号：CN116779443A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310237544.9

申请日：2023-03-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚宣孝 , 萧柏铠 , 林范诚 , 黄才育 , 张惠政 , 杨育佳

IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06

Abstract: 在一个实施例中，揭露一种半导体装置及其形成的方法，形成半导体装置的方法包含：形成第一氧化层于半导体鳍片结构上方；进行第一氮化工艺以将第一氧化层转化为氮氧化层；沉积含硅层于氮氧化层上方；对含硅层进行第一退火，其中在进行第一退火之后，氮氧化层在与半导体鳍片结构的界面处的氮原子浓度高于在氮氧化层的主体区中的氮原子浓度；以及形成虚置栅极结构于含硅层上方。

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