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公开(公告)号：CN113110691B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110183899.5
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开提供电压参考电路以及提供参考电压的方法。电压参考电路包括一晶体管、一翻转栅极晶体管、一第一电流镜单元、一第二电流镜单元与一输出节点。翻转栅极晶体管的栅极与漏极是耦接于晶体管的栅极与漏极。第一电流镜单元配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至翻转栅极晶体管并提供一镜射电流。第二电流镜单元配置以相应于镜射电流而从晶体管汲取出一第二电流。输出节点耦接于晶体管的源极以及第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。
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公开(公告)号：CN116266753A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310034057.2
申请日：2023-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K7/02
Abstract: 本文的实施例描述了一种半导体器件和操作方法以及一种脉冲幅度调制(PAM)驱动器。在一个实施例中，PAM驱动器包括被配置为输出第一电压的第一高速缓冲器、被配置为输出第二电压的第二高速缓冲器，以及连接至第一高速缓冲器和第二高速缓冲器的多个晶体管。第一电压和第二电压中的至少一个促使多个晶体管中的晶体管的选择性操作以输出第三电压。
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公开(公告)号：CN108122867A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710984940.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。
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公开(公告)号：CN102377339B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110068067.5
申请日：2011-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/04 , H02M3/156 , H02M2001/0032 , Y02B70/16
Abstract: 本发明关于一种控制一调整器的方法，调整器具有输入与输出电压，其方法步骤为：开启第一驱动器；判定第一时间周期相对第一与第二时间周期的持续期间比值，两个时间周期分别表示第一与第二驱动器开启的持续期间；依据持续期间比值与涟波电压，产生第二电压位准，涟波电压为介于高临界与低临界电压间的差值；依据介于第二电压位准与输出电压的电压位准间的关系，关闭第一驱动器与开启第二驱动器；流过输出电压节点的电流到达默认值时则关闭第二驱动器；依据持续期间比值与介于输出电压峰值与高临界电压间的差值，产生第一时间周期变化量。
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公开(公告)号：CN113113397A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110162284.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体结构。半导体结构包括一第一基板一第一裸晶及一第二裸晶设置在第一基板之上，并且彼此相邻。多个第一导电凸块设置在第一基板及第一裸晶之间，与第一基板及第二裸晶之间。一第二基板设置在第一基板下方。多个第二导电凸块设置在第一基板及第二基板之间。一封装内电压调节器芯片设置在第二基板之上。模塑材料设置在第一基板之上，并且围绕第一裸晶、第二裸晶、第一导电凸块、第二导电凸块及封装内电压调节器芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122867B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201710984940.2
申请日：2017-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种封装结构包括第一封装层、第二封装层和位于第一封装层和第二封装层之间的芯片层。第一封装层包括与第一导热结构电隔离的电信号结构。芯片层包括电连接至电信号结构的集成电路(IC)芯片、模制材料和位于模制材料中的贯通孔。第一导热结构、贯通孔和第二导热结构配置为从IC芯片至第二封装层的芯片层相对的表面的低热阻路径。本发明的实施例还涉及用于IC封装件的热传递结构和方法。
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公开(公告)号：CN110610926A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910106363.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了半导体结构和形成半导体结构的方法，其中，在IC器件封装结构中形成电感器。结构包括密封材料，其中，铁磁芯位于密封材料中。在密封材料中提供多个金属层，从而形成围绕铁磁芯延伸的电感线圈以形成电感器。
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公开(公告)号：CN109617542A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811137682.5
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 取样及保持(S/H)电路包括电容耦接到第一电压的取样节点和从输入携带信号的输入线。S/H电路还可以包括一个或多个晶体管，其将输入线耦接到取样节点。S/H电路还可以包括耦接到一个或多个晶体管的一个或多个源极或漏极的开关和第二电压。S/H电路还可以包括耦接到开关的保持电路和一个或多个晶体管的一个或多个栅极的保持电路，保持电路被配置成在取样期间打开输入和取样节点之间的输入线。
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公开(公告)号：CN110610926B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910106363.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了半导体结构和形成半导体结构的方法，其中，在IC器件封装结构中形成电感器。结构包括密封材料，其中，铁磁芯位于密封材料中。在密封材料中提供多个金属层，从而形成围绕铁磁芯延伸的电感线圈以形成电感器。
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公开(公告)号：CN113110691A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110183899.5
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开提供电压参考电路以及提供参考电压的方法。电压参考电路包括一晶体管、一翻转栅极晶体管、一第一电流镜单元、一第二电流镜单元与一输出节点。翻转栅极晶体管的栅极与漏极是耦接于晶体管的栅极与漏极。第一电流镜单元配置以相应一偏压电流而提供一第一电流至翻转栅极晶体管并提供一镜射电流。第二电流镜单元配置以相应于镜射电流而从晶体管汲取出一第二电流。输出节点耦接于晶体管的源极以及第二电流镜单元，并配置以输出一参考电压。
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