公开(公告)号：CN1244138C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200310118264.9

申请日：2003-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱显光 ,  詹博文 ,  彭宝庆 ,  邱远鸿 ,  陶宏远

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种评估等离子体工艺品质和监控等离子体工艺的方法，包括下列步骤：提供一等离子体反应室；进行一既定等离子体工艺，并同时临场量测该等离子体反应室的等离子体参数，如电子碰撞频率与电子密度；以及，根据其等离子体参数值评估等离子体反应室的工艺品质。

公开(公告)号：CN1577748A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200310117145.1

申请日：2003-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱显光 ,  彭宝庆 ,  陶宏远

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法。包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底上形成一具有高介电常数的栅极介电层。形成一栅极导电层于介电层上。于上述栅极导电层上形成一图案化罩幕，以干蚀刻法蚀刻栅极导电层及部分具有高介电常数的栅极介电层，再利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分具有高介电常数的栅极介电层，以形成一具有高介电常数栅极介电层的栅极结构。

公开(公告)号：CN100385680C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410086769.6

申请日：2004-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  陈尚志 ,  王焱平 ,  邱显光 ,  姚亮吉 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。

公开(公告)号：CN1309024C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200310117145.1

申请日：2003-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱显光 ,  彭宝庆 ,  陶宏远

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法。包括下列步骤：提供一半导体基底，于上述半导体基底上形成一具有高介电常数的栅极介电层。形成一栅极导电层于介电层上。于上述栅极导电层上形成一图案化掩模，以干蚀刻法蚀刻栅极导电层及部分具有高介电常数的栅极介电层，再利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分具有高介电常数的栅极介电层，以形成一具有高介电常数栅极介电层的栅极结构。

公开(公告)号：CN1670964A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410086769.6

申请日：2004-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  陈尚志 ,  王焱平 ,  邱显光 ,  姚亮吉 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。

公开(公告)号：CN1508842A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310118264.9

申请日：2003-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱显光 ,  詹博文 ,  彭宝庆 ,  邱远鸿 ,  陶宏远

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 本发明提供一种监控电浆制程的方法，包括下列步骤：提供一电浆反应室；进行一既定电浆制程，并同时临场量测该电浆反应室的电浆参数，如电子碰撞频率与电子密度；以及，根据其电浆参数值评估电浆反应室的制程品质。

公开(公告)号：CN2713646Y

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200420050503.1

申请日：2004-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱显光 ,  彭宝庆 ,  陶宏远

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/31116

Abstract: 本实用新型提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构。该栅极结构包括一半导体基底，该基底实质上无凹进(recess)或离子造成损伤(damage)，一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面，以及一栅极，形成于该栅极介电层表面。其中该具有高介电常数的栅极介电层是利用干蚀刻法蚀刻部分该具有高介电常数的栅极介电层，然后利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该具有高介电常数的栅极介电层而形成。

公开(公告)号：CN2788356Y

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200420112318.0

申请日：2004-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  陈尚志 ,  王焱平 ,  邱显光 ,  姚亮吉 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。