公开(公告)号：CN102956695A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110350730.0

申请日：2011-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李昆育 ,  姚亮吉 ,  奥野泰利 ,  万幸仁

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及的是集成电路制造，并且更具体地涉及的是带有高k栅极介电层的半导体器件。用于半导体器件的示例性的结构包括衬底和设置在该衬底上方的栅极结构。该栅极结构包括介电部分和设置在该介电部分上方的电极部分，并且该介电部分包括在衬底上的碳掺杂的高k介电层以及与电极部分相邻的无碳的高k介电层。本发明还提供具有高k栅极介电层的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101924026A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010212859.0

申请日：2010-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚亮吉 ,  郑淳护 ,  李陈毅 ,  许俊豪 ,  万幸仁

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/283 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种降低用于高介电常数介电质和金属栅极堆叠结构的界面层厚度的方法。上述方法包括于一半导体基板的上方形成一界面层；回蚀刻上述界面层；于上述界面层的上方沉积一高介电常数材料；于上述高介电常数材料的上方形成一金属栅极。上述界面层可包括如化学氧化物、臭氧氧化物、热氧化物或利用紫外线硬化化学氧化物方式形成等。利用稀释氢氟酸工艺或氢氟酸气相(vapor HF)工艺或其他适当工艺回蚀刻上述界面层。在沉积高介电常数材料之前，还包括对上述界面层进行紫外线硬化工艺或低热预算退火工艺。依据本发明形成的界面层可达到高介电常数介电质/金属栅极元件在32nm世代或以下的世代的尺寸微缩趋势的要求。

公开(公告)号：CN100385680C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200410086769.6

申请日：2004-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志豪 ,  陈尚志 ,  王焱平 ,  邱显光 ,  姚亮吉 ,  胡正明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法。该金属氧化物半导体场效应晶体管包括：位于基底上的高介电常数栅极介电质，以及位于该栅极介电质上的栅极电极，且栅极介电质突出于栅极电极外。栅极的每一侧形成有深源极和深漏极，其具有浅延伸区。深源极与深漏极区通过选择性原位掺杂外延法或离子注入法形成，延伸区通过选择性原位掺杂外延法形成。延伸区位于栅极下方并与栅极介电质接触。栅极介电质的材料以及其突出至栅极电极外的程度可以选择，以使外延及其相关步骤不会引发栅极电极与源极/漏极延伸区间发生桥接而导致的短路。

公开(公告)号：CN1873921A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610003147.1

申请日：2006-02-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚亮吉 ,  杨铭和 ,  陈世昌 ,  梁孟松

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/268 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造方法及电容器的制造方法，具体涉及一种使用激光瞬间退火制造半导体元件的方法，包括提供一具有一表面的半导体基底，形成一栅极介电层于半导体基底的表面上，对栅极介电层进行一激光退火制程，在激光瞬间退火制程之后，图形化栅极介电层且至少形成一栅极介电结构。之后，形成一源极和漏极区以形成一晶体管，并通过连接源极和漏极区以形成一电容器。本发明所述半导体元件制造方法及电容器的制造方法，在较少的聚集性、扩散性和热预算成本下，对栅极介电层或电容器介电层进行退火，以得到较佳的电性。

公开(公告)号：CN1527362A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN03105065.4

申请日：2003-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林友民 ,  麦凯玲 ,  姚亮吉 ,  陈世昌

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/4757 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种改善闸极介电层的电性的方法，其中包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一闸极介电层于上述半导体基底表面，其中上述闸极介电层包括氧化铪(HfO2)；实施一含氢气体处理；以及实施一含氧气体处理。一种具有高介电常数的闸极介电层的金氧半电晶体，其中包括：一半导体基底；一高介电常数的闸极介电层，设置于上述半导体基底表面。本发明主要目的在于提供一种新材质的闸极介电层以及一种改善闸极介电层的电性的方法，不仅提供良好的闸极介电层，更可使该闸极介电层符合半导体组件设计上的需求。

公开(公告)号：CN102129979A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010183402.1

申请日：2010-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许俊豪 ,  姚亮吉 ,  官大明

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/2822 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，具体地，提供制造IC装置的氟钝化方法及装置。在一实施例中，一种半导体装置的制造方法，包含提供一基材及以氢氟酸及醇类的混合物钝化此基材的一表面，以形成一氟钝化表面。此方法还包含形成一栅极介电层于此氟钝化表面上，及接着形成一金属栅极电极于此栅极介电层上。另外，本发明也揭示以此方法制造的半导体装置。本发明的优点是在无需牺牲栅极氧化层的整体厚度或介电常数的前提下降低漏电流。

公开(公告)号：CN1604278B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410073925.5

申请日：2004-09-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王铭芳 ,  侯拓宏 ,  麦凯玲 ,  姚亮吉 ,  陈世昌

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种处理栅极结构的方法，以改善电效能特性，此栅极结构包括高介电常数栅极堆栈介电层，此处理栅极结构的方法包括提供一栅极堆栈介电层于硅基底上，此栅极堆栈介电层包括一二元(binary)氧化物；形成一多晶硅层于上述栅极堆栈介电层上；进行光刻图案化与蚀刻以形成一栅极结构；以及对上述栅极结构进行至少一等离子处理，此等离子处理包括一等离子源气体是择自于氢气、氮气、氧气与氨气所组成的族群中。

公开(公告)号：CN101369536A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200710195393.6

申请日：2007-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  姚亮吉

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3143

Abstract: 本发明是有关于一种具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法，其包括以下步骤：(a)形成一高介电常数薄膜于一基底上；(b)以等离子体氮化该高介电常数薄膜；(c)重复步骤(a)，形成另一高介电常数薄膜于先前形成的该高介电常数薄膜上；(d)重复步骤(b)，氮化最后形成的高介电常数薄膜。本发明以逐层氮化以及逐层回火的方式，将氮离子掺杂至多层高介电常数薄膜之中。

公开(公告)号：CN101159232A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710129200.7

申请日：2007-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚亮吉 ,  陶宏远 ,  陈世昌 ,  梁孟松

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供一种晶体管及半导体装置的制作方法。上述半导体装置的制作方法，包括形成第一栅极堆叠层，其包含第一及第二含硅层，且具有介于该第一及第二含硅层之间的第一蚀刻停止层，其中该第一含硅层的高度至少为该第一栅极堆叠层高度的1/3。上述半导体装置的制作方法，还包括移除该第二含硅层及该第一蚀刻停止层；以及进行反应该第一含硅层与第一金属的步骤，以硅化该第一含硅层。因此，可形成具有不同栅极高度的全硅化物栅极。较薄的第一含硅层可提供在硅化时较低的热预算，以及在全硅化物栅极中较佳的硅化浓度的均匀度。

公开(公告)号：CN101058883A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710093756.5

申请日：2007-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚亮吉 ,  陈佳麟 ,  王铭芳 ,  游明丰 ,  李昆池 ,  陈世昌

IPC: C23F1/08 ,  C23F1/12

CPC classification number: H01L21/67069

Abstract: 本发明提供一种气体供应装置，包括：一第一气体来源，提供惰性载气且连接于一第一管线；一第二气体来源，提供无水反应气体且连接于一第二管线；一第三气体来源，提供具有化学成份的气体且连接于一第三管线；一主管线，连接于该第一管线、第二管线及第三管线，以供应一混合气体，其中该混合气体是具有惰性载气、无水反应气体及具有化学成份的气体；及一温度控制器，位于该第二管线上。本发明所述的气体供应装置，具有良好蚀刻均匀性且又具低污染的优势洁净制程。