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公开(公告)号：CN112103256B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201910966876.4
申请日：2019-10-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。在本揭露实施例中，半导体装置包括封装组件，所述封装组件包括：多个集成电路管芯；包封体，位于所述多个集成电路管芯周围；重布线结构，位于所述包封体及所述多个集成电路管芯之上，所述重布线结构电耦合到所述多个集成电路管芯；多个插座，位于所述重布线结构之上，所述多个插座电耦合到所述重布线结构；以及支撑环，位于所述重布线结构之上且环绕所述多个插座，所述支撑环沿所述重布线结构的最外边缘设置，所述支撑环在横向上至少部分地与所述重布线结构交叠。
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公开(公告)号：CN111384043A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911358692.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053761A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011524118.6
申请日：2020-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 一种方法包括将多个封装组件密封在密封剂中；以及在多个封装组件上方形成电耦合至多个封装组件的多个第一再分布层。多个第一再分布层具有多个电源/接地焊盘堆叠件，多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个都具有位于多个第一再分布层中的每个中的焊盘。多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件。在多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层。第二再分布层包括电连接至多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111384010A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911358161.7
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/40 , H01L23/485 , H01L21/50
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：封装部件，包括集成电路管芯、位于集成电路管芯周围的密封剂、位于密封剂和集成电路管芯上方的再分布结构以及位于再分布结构上方的插座；机械支架，物理耦合到插座，机械支架具有开口，每个开口暴露相应的一个插座；热模块，物理地和热耦合到密封剂和集成电路管芯；以及螺栓，延伸穿过热模块、机械支架和封装部件。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113053761B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011524118.6
申请日：2020-12-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 一种方法包括将多个封装组件密封在密封剂中；以及在多个封装组件上方形成电耦合至多个封装组件的多个第一再分布层。多个第一再分布层具有多个电源/接地焊盘堆叠件，多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个都具有位于多个第一再分布层中的每个中的焊盘。多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件。在多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层。第二再分布层包括电连接至多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660753B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201910454554.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在实施例中，一种器件包括：第一再分布结构，包括第一介电层；管芯，粘附至第一再分布结构的第一侧；密封剂，横向密封管芯，密封剂通过第一共价键与第一介电层接合；穿过密封剂的通孔；第一导电连接器，电连接至第一再分布结构的第二侧，第一导电连接器的子集与密封剂和管芯的界面重叠。本发明实施例涉及半导体封装件和方法。
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公开(公告)号：CN111384043B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201911358692.6
申请日：2019-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，封装的半导体器件包括设置在电源模块和包含集成电路的封装件之间的包含集成无源器件的封装组件。在实施例中，一种器件包括：第一封装组件，包括第一集成电路管芯；第一密封剂，至少部分地围绕第一集成电路管芯；以及再分布结构，位于第一密封剂上并且耦合至第一集成电路管芯；第二封装组件，接合到第一封装组件，第二封装组件包括集成无源器件；以及第二密封剂，至少部分地围绕集成无源器件；以及电源模块，通过第二封装组件附接到第一封装组件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111508928A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010052914.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 一种封装装置包括封装。所述封装包括：多个管芯；包封体，包封所述多个管芯；以及重布线结构，位于所述多个管芯及包封体之上。所述封装装置还包括：第一插座，结合到重布线结构的顶表面；以及刚性/柔性衬底，结合到重布线结构的顶表面。所述刚性/柔性衬底包括：第一刚性部分；第二刚性部分；以及柔性部分，夹置在第一刚性部分与第二刚性部分之间。所述封装装置还包括：第二插座，结合到刚性/柔性衬底的第一刚性部分；以及连接件模块，结合到刚性/柔性衬底的第二刚性部分。
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公开(公告)号：CN111508920A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201911015739.9
申请日：2019-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/56 , H01L21/98
Abstract: 在实施例中，一种封装装置包括封装组件，所述封装组件包括：第一集成电路管芯；包封体，至少局部地环绕第一集成电路管芯；重布线结构，位于包封体上，所述重布线结构与第一集成电路管芯进行实体耦合及电耦合；第一模块插座，贴合到重布线结构；中介层，与第一模块插座相邻地贴合到重布线结构，所述中介层的最外界限延伸超出重布线结构的最外界限；以及外部连接件，贴合到中介层。
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公开(公告)号：CN117012709A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310861640.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/68 , H01L21/66
Abstract: 形成封装件的方法包括形成重建晶圆，形成重建晶圆包括在载体上方放置多个封装组件，在多个封装组件上方形成互连结构，并且互连结构电互连多个封装组件，在互连结构上方形成顶部电连接件，并且将顶部电连接件电连接至互连结构，以及在与顶部电连接件相同的层级处形成对准标记。探测顶部电连接件中的探针焊盘，并且使用对准标记用于对准探针焊盘来执行探测。通过焊料区域将附加封装组件接合至重建晶圆。焊料区域物理地结合至顶部电连接件。
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