公开(公告)号：CN103165674B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210058769.X

申请日：2012-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭博钦 ,  李显铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种器件，包括：衬底、位于衬底上的半导体鳍以及位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层。栅极介电层将栅电极与半导体鳍间隔开。栅电极包括位于半导体鳍上方并且与其对准的顶部，以及位于介电层的侧壁部分上的侧壁部分。栅电极的顶部具有第一功函，栅电极的侧壁部分具有与第一功函不同的第二功函。本发明还提供了一种具有多阈值电压的FinFET。

公开(公告)号：CN103887340B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310072572.6

申请日：2013-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭博钦 ,  程仲良 ,  李显铭 ,  张文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。

公开(公告)号：CN103887340A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310072572.6

申请日：2013-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭博钦 ,  程仲良 ,  李显铭 ,  张文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。

公开(公告)号：CN103165674A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210058769.X

申请日：2012-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭博钦 ,  李显铭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种器件，包括：衬底、位于衬底上的半导体鳍以及位于半导体鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层。栅极介电层将栅电极与半导体鳍间隔开。栅电极包括位于半导体鳍上方并且与其对准的顶部，以及位于介电层的侧壁部分上的侧壁部分。栅电极的顶部具有第一功函，栅电极的侧壁部分具有与第一功函不同的第二功函。本发明还提供了一种具有多阈值电压的FinFET。