-
公开(公告)号：CN108206217B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201710465608.5
申请日：2017-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割工艺，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割工艺包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割工艺为优先切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割工艺为最后切割鳍状物的工艺的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
-
公开(公告)号：CN103219340A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201210192137.2
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。
-
公开(公告)号：CN113299647B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110556620.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。
-
公开(公告)号：CN107204277B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201611219717.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层的上表面高于第二区域中第一可流动材料层的上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层，在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。执行第一下凹工艺以致第一区域中的第二可流动材料层被移除。执行第二下凹工艺于第二区域中的第二可流动材料层，此时第一可流动材料层被第一区域的牺牲插塞保护。
-
公开(公告)号：CN103137624A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210036781.0
申请日：2012-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/66636
Abstract: 本发明公开了一种具有隔离部件的半导体器件。所述半导体器件包括多个设置在半导体衬底上的栅极结构、形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上的多个电介质材料的侧壁间隔件、设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上的层间电介质(ILD)、嵌入所述半导体衬底并延伸至所述ILD的隔离部件以及设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上的电介质材料的侧壁间隔件。本发明还公开了高栅极密度器件和方法。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113284893A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110087771.9
申请日：2021-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 根据一些实施例，一种半导体装置包括半导体衬底、至少一个半导体鳍及栅极堆叠。半导体鳍设置在半导体衬底上。半导体鳍包括第一部分、第二部分及位于第一部分与第二部分之间的第一颈部部分。第一部分的宽度随着第一部分变得更靠近第一颈部部分而减小，且第二部分的宽度随着第二部分变得更靠近半导体衬底的底表面而增大。栅极堆叠部分地覆盖半导体鳍。
-
公开(公告)号：CN108206217A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201710465608.5
申请日：2017-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供一种用于图案化集成电路装置如鳍状场效晶体管装置的方法。例示性的方法包括形成材料层，其包含鳍状结构的阵列；以及进行鳍状物切割制程，以移除鳍状结构的子集。鳍状结构切割制程包含以切割图案露出鳍状结构的子集，并移除露出的鳍状结构的子集。切割图案部份地露出鳍状结构的子集的至少一鳍状结构。在鳍状物切割制程为优先切割鳍状物的制程的实施方式中，材料层为芯层且鳍状结构为芯。在鳍状物切割制程为最后切割鳍状物的制程的实施方式中，材料层为基板(或其材料层)且鳍状结构为定义于基板(或其材料层)中的鳍状物。
-
公开(公告)号：CN107204277A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611219717.0
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/31055 , H01L21/76229 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/02518
Abstract: 本公开实施例涉及制造半导体元件的方法。此方法包括形成第一可流动材料层于基板之上。第一区域中第一可流动材料层的上表面高于第二区域中第一可流动材料层的上表面。此方法亦包括在第一区域中形成牺牲插塞以覆盖第一可流动材料层，在第一区域中牺牲插塞之上及第二区域中第一可流动材料层之上形成第二可流动材料层。执行第一下凹工艺以致第一区域中的第二可流动材料层被移除。执行第二下凹工艺于第二区域中的第二可流动材料层，此时第一可流动材料层被第一区域的牺牲插塞保护。
-
公开(公告)号：CN113299647A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110556620.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种包含鳍式场效晶体管的半导体装置包含第一半导体鳍片，此第一半导体鳍片是形成在基材上并沿着第一横轴延伸。此半导体装置包含第二半导体鳍片，此第二半导体鳍片亦被形成在基材上并沿着第一横轴延伸。第一半导体鳍片的至少一个尖端部分和第二半导体鳍片的至少一个尖端部分沿着第二横轴朝彼此弯曲，第二横轴是垂直于第一横轴。
-
公开(公告)号：CN108122778A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711217841.8
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上沉积第一材料；在所述衬底上沉积第二材料，所述第二材料的蚀刻选择性与所述第一材料的蚀刻选择性不同；在所述第一材料及所述第二材料上沉积间隔壁材料；以及使用所述间隔壁材料作为蚀刻掩模来蚀刻所述衬底，以在所述第一材料之下形成鳍以及在所述第二材料之下形成鳍。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.033 seconds)
