公开(公告)号：CN106409749B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610071466.X

申请日：2016-02-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林加明 ,  张简旭珂 ,  林俊泽 ,  王英郎 ,  林玮耿 ,  刘全璞

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的沟槽结构，包括衬底、隔离结构和衬层。衬底中具有沟槽。隔离结构设置在沟槽中。衬层设置在衬底和隔离结构之间。衬层包括氮，并且衬层在空间上具有不同的氮浓度。本发明还提供了一种制造半导体器件的沟槽结构的方法。

公开(公告)号：CN104810334B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410602233.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 严亮 ,  罗埃尔·达门 ,  安可·赫琳哈 ,  埃尔文·海曾

IPC: H01L23/367

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L23/3677 ,  H01L27/0211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L2924/0002 ,  H05K7/20 ,  H01L2924/00

Abstract: 在具有多个元胞的SOI功率器件中引入集成的散热器阵列，其可用于减小温度的升高，以在器件区域的所有元胞之间得到更为均匀的温度峰值，从而避免出现易于导致击穿的热点的出现，因此能够改善器件的安全工作区域。另外，该阵列还消耗较少的器件面积，并具有较低的Rdson。

公开(公告)号：CN106024905B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610614208.1

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  薛颖 ,  叶然 ,  陈欣 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692

Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。

公开(公告)号：CN106409825B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610435552.4

申请日：2016-06-17

Applicant: DB HiTek株式会社

Inventor： 赵勇洙

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823493 ,  H01L23/66 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/36 ,  H01L29/78

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括高阻衬底、设置在高阻衬底上的晶体管，和设置在高阻衬底中围绕晶体管的深沟槽器件隔离区。特别地，高阻衬底具有第一导电类型，具有第二导电类型的深阱区设置在高阻衬底中。进一步地，具有第一导电类型的第一阱区设置在深阱区上，晶体管设置在第一阱区上。

公开(公告)号：CN105551959B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510696311.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： X·吴 ,  季明华 ,  E·K·班哈特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66537 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/16 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

Abstract: 本发明涉及新颖鳍结构及依斜型鳍的多临限电压形态及其形成方法，其中，提供形成具有低掺杂与高掺杂活性部分的FinFET鳍及/或具有斜型侧壁的FinFET鳍以供Vt调整及多Vt形态用的方法及其产生的装置。具体实施例包括形成Si鳍，Si鳍具有顶端活性部分及底端活性部分；在Si鳍的顶端表面上形成硬罩；在Si鳍的对立侧上形成氧化层；将掺质植入Si鳍；使氧化层凹陷以显露Si鳍的活性顶端部分；蚀刻Si鳍的顶端活性部分以形成垂直侧壁；形成包覆各垂直侧壁的氮化物间隔物；使凹陷的氧化层凹陷以显露Si鳍的活性底端部分；以及斜削Si鳍的活性底端部分。

公开(公告)号：CN109728073A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811266348.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉田芳规 ,  可知刚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811

Abstract: 提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括根据半导体器件的使用所期待的缓冲器部。具有缓冲器部的缓冲器区域被限定在栅极焊盘区域中，该栅极焊盘区域被限定在靠近半导体衬底的第一主表面的侧面上。在缓冲器区域中形成彼此接触的p型扩散层和n型柱层。p型扩散层和n型柱层被形成为缓冲器部的寄生电容，同时n型柱层电耦合到漏极。在Y轴方向上延伸的p型扩散层是缓冲器部的电阻并且电耦合到源极。

公开(公告)号：CN108807515A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710311951.4

申请日：2017-05-05

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 卓升 ,  潘贞维

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/73

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0813 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

Abstract: 本发明公开一种双极性晶体管，其主要包含一射极区、一基极区以及一集极区，其中射极区的边缘切齐基极区的边缘。此外，基极区的边缘切齐集极区的边缘，射极区的边缘同时切齐基极区与集极区的边缘且射极区的边缘宽度等于基极区的边缘宽度。另外依据双极性晶体管的一俯视角，基极区与集极区各包含矩形。

公开(公告)号：CN108695230A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810288229.8

申请日：2018-04-03

Applicant: 格芯公司

Inventor： 臧辉 ,  李在坤

IPC: H01L21/76 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/76 ,  H01L27/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明揭露具有二极管隔离的堆栈式纳米片场效应晶体管，涉及场效应晶体管的结构及涉及场效应晶体管的结构的形成方法。提供具有第一导电类型的衬底。在该衬底上形成具有第二导电类型的第一半导体层。在该第一半导体层上形成具有第一导电类型的第二半导体层。形成场效应晶体管，其包括在该第二半导体层上的垂直堆栈中配置有多个纳米片通道层的鳍片、以及绕着该等纳米片通道层环绕的栅极结构。该第一半导体层与该衬底的一部分界定第一p‑n接面，并且该第二半导体层与该第一半导体层界定第二p‑n接面。该第一p‑n接面及该第二p‑n接面配置成与该栅极结构及该等纳米片通道层垂直对准。

公开(公告)号：CN108475678A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007246.3

申请日：2017-01-23

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： H·L·爱德华兹 ,  B·胡 ,  J·R·托德

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/32 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835

Abstract: 在所描述的实例中，一种集成电路(100)，其包括场板式FET(110)并且通过在氧化物掩模层中形成第一开口从而暴露用于漂移区(116)的区域来形成。在第一开口下方将掺杂剂注入到衬底(102)中。随后，沿着第一开口的横向边界形成电介质侧壁。在通过电介质侧壁暴露的第一开口的区域中，通过热氧化形成场释放氧化物(122)。所注入的掺杂剂扩散到衬底(102)中以形成漂移区(116)，横向延伸超过场释放氧化物(122)层。在形成场释放氧化物(122)层之后，移除电介质侧壁和氧化物掩模层。在场板式FET(110)的本体(120)上方以及在相邻的漂移区(116)上方形成栅极(130)。在场释放氧化物(122)的上方邻近栅极(130)直接形成场板(132)。

公开(公告)号：CN108415505A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810208414.1

申请日：2013-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三石昌史 ,  光明雅泰 ,  砂入崇二

IPC: G05F3/20 ,  G05F3/24 ,  H03F1/52 ,  H03F3/45 ,  H04L25/02

CPC classification number: G05F3/205 ,  G05F3/24 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0653 ,  H03F1/523 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45188 ,  H03F3/45632 ,  H04L25/0272 ,  H04L25/028

Abstract: 本发明公开了一种差动输出电路及半导体器件。一种可使用较低耐压的晶体管来实现高可靠性的电路。该电路包括：由分别接收互为反相的输入信号(IN、INB)的第1及第2晶体管(MN1、MN2)构成的差动对；分别与第1及第2晶体管级联且与第1及第2晶体管为同一导电型的第3及第4晶体管(MN3、MN4)；与第3及第4晶体管各自的漏极连接的第1及第2输出端子(OUTB、OUT)；以及将第1及第2输出端子各自电位的中间电位进行分压并供给至第3及第4晶体管的栅极的分压电路(10)。