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公开(公告)号：CN110970394B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910333983.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，一种结构包括衬底上方的电介质层、表面改性层和导电特征。电介质层具有侧壁。表面改性层沿着侧壁，并且表面改性层包括磷和碳。导电特征沿着表面改性层。
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公开(公告)号：CN113314466A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110042908.9
申请日：2021-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善半导体器件中的沟道区域的轮廓的方法以及通过这些方法形成的半导体器件。在一个实施例中，一种方法包括：在半导体衬底之上形成半导体鳍，该半导体鳍包括锗，该半导体鳍的第一部分的锗浓度大于该半导体鳍的第二部分的锗浓度，该第一部分与半导体衬底的主表面之间的第一距离小于该第二部分与半导体衬底的主表面之间的第二距离；以及修整半导体鳍，半导体鳍的第一部分以比半导体鳍的第二部分更大的速率被修整。
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公开(公告)号：CN109727890B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201810325087.8
申请日：2018-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本发明一实施例提供一种基板处理设备，包括旋转式固定座以及处理流体供给设备。旋转式固定座包括多个承载件以及旋转驱动机构。承载件耦接至旋转式基座，承载件中的每一者包括销，销具有倾斜部，用以在基板的上缘及销间提供一间隙。旋转驱动机构用以转动旋转式基座。处理流体供给设备是设置在旋转式固定座上。
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公开(公告)号：CN110970394A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910333983.3
申请日：2019-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及半导体结构及用于半导体工艺的方法。本文描述的实施例总体涉及用于在半导体工艺中在电介质层中形成导电特征的方法以及由此形成的结构。在一些实施例中，一种结构包括衬底上方的电介质层、表面改性层和导电特征。电介质层具有侧壁。表面改性层沿着侧壁，并且表面改性层包括磷和碳。导电特征沿着表面改性层。
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公开(公告)号：CN110323180A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201811376134.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 于一例示性面向中，一种半导体装置的形成方法，包括：提供半导体结构，此半导体结构具有基底、于基底上方的一或多个第一介电层、于一或多个第一介电层中的第一金属插塞，以及于一或多个第一介电层与第一金属插塞上方的一或多个第二介电层。此方法还包括：蚀刻导通孔(via hole)至一或多个第二介电层中以暴露第一金属插塞，蚀刻第一金属插塞的表面以于其上形成凹槽，以及施加包含金属腐蚀抑制剂的金属腐蚀保护剂至第一金属插塞的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103021829A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210236318.0
申请日：2012-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/31111
Abstract: 本发明公开了一种单晶圆蚀刻装置和在单晶圆装置中实施的各种方法。在实例中，在单晶圆蚀刻装置中蚀刻氮化硅层包括：将磷酸加热至第一温度；将硫酸加热至第二温度；将经过加热的磷酸和经过加热的硫酸混合；将磷酸/硫酸混合物加热至第三温度；以及利用经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻氮化硅层。本发明还提供了一种在单晶圆装置中蚀刻氮化硅。
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公开(公告)号：CN102117745B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010529270.3
申请日：2010-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/49
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28247 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 本发明一实施例中，提供一种半导体结构金属栅极堆叠的制造方法，该方法包括：形成一第一伪栅极与一第二伪栅极于一基板上；移除该第一伪栅极的一多晶硅层，以形成一第一栅极沟槽；形成一第一金属层与一第一铝层于该第一栅极沟槽中；对该基板实施一化学机械研磨(CMP)工艺；使用一含氮与含氧气体，对该第一铝层实施一回火工艺，以形成一界面层于该第一铝层上，该界面层含铝、氮与氧；移除该第二伪栅极的一多晶硅层，以形成一第二栅极沟槽；以及形成一第二金属层与一第二铝层于该第二栅极沟槽中，该第二铝层形成于该第二金属层上。本发明的优点包括：可避免p型场效晶体管(pFET)的门槛电压漂移；可降低半导体结构的RC延迟，改善电路效能。
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公开(公告)号：CN102034694A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010501839.5
申请日：2010-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/28238 , H01L21/02071 , H01L21/823842 , H01L21/823857
Abstract: 本发明一实施例公开集成电路的形成方法包括形成栅极介电结构于基板上，形成含钛牺牲层以接触栅极介电结构，以及实质上移除全部的含钛牺牲层。本发明中，多晶硅层表面的多晶硅隆起缺陷数量可减少至所需的程度。
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公开(公告)号：CN109585446B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201711216324.9
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 根据一些实施例，本公开提供一种半导体装置，其具有可调谐功函数值的金属栅极结构。在一范例中，第一栅极结构及第二栅极结构形成于基底上，其中第一栅极结构包括具有第一材料的第一功函数金属，且第二栅极结构包括具有第二材料的第二功函数金属，第一材料不同于第二材料，其中第一栅极结构还包括：栅极介电层；具有金属磷酸盐的自保护层；及位于自保护层上的第一功函数金属。
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公开(公告)号：CN115332326A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210679189.6
申请日：2022-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：沉积第一功函数层在第一沟槽及第二栅极沟槽上方。方法包括沉积第二功函数层在第一功函数层上方。方法包蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层，且覆盖第二栅极沟槽中的第二功函数层，导致第一栅极沟槽中的第一功函数层包含蚀刻第一栅极沟槽中的第二功函数层后所留下的金属掺质。方法包括形成第一主动栅极结构及第二主动栅极结构，第一主动栅极结构及第二主动栅极结构各自包括第一功函数层及从第一栅极沟槽中的第二功函数层所留下的金属掺质、以及第一功函数层及无从第二功函数层所留下的金属掺质。
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